| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-8页 |
| 第一篇 概论 | 第8-19页 |
| 1 引言 | 第8-19页 |
| 1．1 室温半导体探测器材料研究进展 | 第9-11页 |
| 1．2 室温半导体核辐射探测器研究进展 | 第11-14页 |
| 1．3 CdSe晶体与探测器 | 第14-18页 |
| 1．4 本研究的特点 | 第18页 |
| 1．5 小结 | 第18-19页 |
| 第二篇 CdSe单晶体的生长 | 第19-49页 |
| 2 原料的多级气相提纯 | 第19-24页 |
| 2．1 原料提纯概况 | 第20页 |
| 2．2 原料提纯原理 | 第20-21页 |
| 2．3 原料化学配比控制 | 第21-22页 |
| 2．4 原料多级提纯工艺与设备 | 第22-23页 |
| 2．5 提纯效果与分析 | 第23页 |
| 2．6 小结 | 第23-24页 |
| 3 晶体的气相生长 | 第24-42页 |
| 3．1 CdSe单晶生长研究现状 | 第24-26页 |
| 3．2 单晶生长方法选择 | 第26-28页 |
| 3．3 气相生长过程中的物质输运 | 第28-30页 |
| 3．4 气相生长过程中的相平衡分析与化学配比控制 | 第30-35页 |
| 3．5 生长工艺参数选择 | 第35页 |
| 3．6 蒸汽压控制 | 第35-36页 |
| 3．7 CdSe晶体生长工艺 | 第36-39页 |
| 3．8 晶体生长结果与分析 | 第39-41页 |
| 3．9 小结 | 第41-42页 |
| 4 CdSe单晶体的性能表征 | 第42-49页 |
| 4．1 禁带宽度 | 第42-43页 |
| 4．2 红外透过率 | 第43-44页 |
| 4．3 位错密度 | 第44-45页 |
| 4．4 电阻率 | 第45-46页 |
| 4．5 电学性能 | 第46-48页 |
| 4．6 小结 | 第48-49页 |
| 第三篇 CdSe探测器研制 | 第49-91页 |
| 5室温半导体核辐射探测器概述 | 第49-58页 |
| 5．1 半导体探测器的工作原理 | 第49-50页 |
| 5．2半导体探测器的种类与主要参数 | 第50-54页 |
| 5．3能量分辨率 | 第54-57页 |
| 5．4 探测器中的电荷收集理论 | 第57-58页 |
| 6 CdSe探测器的制备 | 第58-63页 |
| 6．1 晶片加工 | 第58-59页 |
| 6．2 表面处理 | 第59-61页 |
| 6．3 电极技术 | 第61-62页 |
| 6．4 探测器的安装与密封 | 第62页 |
| 6．5 小结 | 第62-63页 |
| 7 接触电极的性质 | 第63-72页 |
| 7．1 欧姆接触 | 第63-64页 |
| 7．2 金属-CdSe接触（M-S接触） | 第64-68页 |
| 7．3 金属-绝缘体半-导体接触（MIS接触） | 第68-70页 |
| 7．4 MIS接触与M-S接触的区别与联系——表面能级密度对电子注入的影响 | 第70-71页 |
| 7．5 小结 | 第71-72页 |
| 8 探测器的能谱特性 | 第72-77页 |
| 8．1 测试方法与测试结果 | 第72-74页 |
| 8．2 电荷收集效率η的实验测定 | 第74-75页 |
| 8．3 探测器的余辉效应 | 第75-76页 |
| 8．4 小结 | 第76-77页 |
| 9 探测器的噪声特性——空穴注入对探测器性能的影响 | 第77-82页 |
| 9．1 表面漏电流引起的噪声 | 第77-78页 |
| 9．2 体漏电流引起的噪声 | 第78-82页 |
| 9．3 小结 | 第82页 |
| 10 电子注入对探测器性能的影响 | 第82-87页 |
| 10．1 电子注入对电离施主浓度N_D~+的影响 | 第82-83页 |
| 10．2 电子注入对探测器噪声的影响 | 第83-85页 |
| 10．3 电子注入对极化效应的影响 | 第85-86页 |
| 10．4 晶片质量对极化效应的影响 | 第86页 |
| 10．5 小结 | 第86-87页 |
| 11 探测器的改进设计——对未来工作的展望 | 第87-90页 |
| 12 结论 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-97页 |
| 附件 | 第97-98页 |