| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·课题背景 | 第9-11页 |
| ·砷化锗镉晶体的特点 | 第9-10页 |
| ·砷化锗镉晶体的结构 | 第10-11页 |
| ·砷化锗镉晶体的吸收缺陷 | 第11页 |
| ·水平梯度冷凝法 | 第11-13页 |
| ·密度泛函理论 | 第13-15页 |
| ·CASTAP软件简介 | 第15-16页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第16-17页 |
| 第2章 砷化锗镉多晶的合成及单晶的生长 | 第17-26页 |
| ·砷化锗镉多晶的合成 | 第17-21页 |
| ·原料和主要合成设备 | 第17-18页 |
| ·多晶的合成工艺 | 第18-20页 |
| ·多晶砷化锗镉XRD分析 | 第20-21页 |
| ·单晶的生长 | 第21-25页 |
| ·几种生长单晶方法的比较 | 第21-22页 |
| ·水平梯度法生长单晶的设备 | 第22页 |
| ·水平梯度法生长单晶的工艺参数 | 第22-23页 |
| ·单晶的生长过程 | 第23-24页 |
| ·单晶吸收分析 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 纯砷化锗镉晶体的密度泛函研究 | 第26-34页 |
| ·建立模型 | 第26-27页 |
| ·结构优化 | 第27-29页 |
| ·能量计算结果 | 第27-28页 |
| ·晶格参数的优化 | 第28-29页 |
| ·优化后原子坐标 | 第29页 |
| ·纯砷化锗镉晶体的电子能带结构和态密度 | 第29-32页 |
| ·CdGeAS_2 晶体的光学性质 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 砷空位CdGeAS_2晶体的密度泛函研究 | 第34-42页 |
| ·建立模型 | 第34页 |
| ·结构优化 | 第34-37页 |
| ·能量优化 | 第35-36页 |
| ·晶格参数的优化 | 第36页 |
| ·优化后的原子坐标 | 第36-37页 |
| ·砷空位CdGeAS_2晶体的电子能带结构和态密度 | 第37-40页 |
| ·砷空位-CdGeAS_2 晶体的光学性质 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 锗占砷位CdGeAS_2晶体的密度泛函研究 | 第42-50页 |
| ·建立模型 | 第42-43页 |
| ·结构优化 | 第43-45页 |
| ·能量优化的结果 | 第43-44页 |
| ·晶格参数的优化 | 第44页 |
| ·优化各个原子坐标 | 第44-45页 |
| ·锗占砷位-CdGeAS_2晶体的电子能带结构和态密度 | 第45-48页 |
| ·锗占砷位-砷化锗镉的光学性质 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第6章 砷化锗镉晶体的缺陷研究 | 第50-56页 |
| ·红外吸收 | 第50-51页 |
| ·缺陷分析 | 第51-53页 |
| ·吸收缺陷类型的确定 | 第51-52页 |
| ·缺陷数量的确定 | 第52-53页 |
| ·铬离子掺杂补偿受体缺陷 | 第53-55页 |
| ·铬离子掺杂砷化锗镉晶体模型 | 第53页 |
| ·掺铬后的能带和态密度 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第63页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文使用授权书 | 第63页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位涉密论文管理 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
