| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-24页 |
| 第一节 多孔硅的发光性能 | 第8-16页 |
| 第二节 多孔硅的表面修饰研究现状 | 第16-21页 |
| 第三节 选题依据 | 第21-24页 |
| 第二章 实验 | 第24-28页 |
| 第三章 阳极氧化条件对多孔硅光致荧光的影响 | 第28-37页 |
| 第一节 阳极氧化电流密度和时间对PL的影响 | 第28-32页 |
| 第二节 腐蚀液配比对PL的影响 | 第32-33页 |
| 第三节 衬底电阻率对PL的影响 | 第33-37页 |
| 第四章 SnCl_4（Sb）修饰多孔硅的光致荧光特性 | 第37-55页 |
| 第一节 SnCl_4（Sb）修饰后的多孔硅PL性质 | 第38-42页 |
| 第二节 SnCl_4（Sb）修饰PS的微结构与表面成分 | 第42-52页 |
| 第三节 SnCl_4（Sb）修饰PS的发光机理探讨 | 第52-55页 |
| 第五章 胺液浸泡处理多孔硅的光致荧光特性 | 第55-65页 |
| 第一节 胺液浸泡后蓝光发射多孔硅的PL特性 | 第55-58页 |
| 第二节 胺液修饰多孔硅蓝光发射机制探讨 | 第58-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 作者在攻读硕士期间发表的论文目录 | 第73页 |