| 作者简介 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-11页 |
| Abstract | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第19-33页 |
| 1.1 GaN 基微波功率器件的研究背景和意义 | 第19-22页 |
| 1.2 InAlN/GaN 异质结材料的潜在优势 | 第22-25页 |
| 1.3 InAlN 及其异质结构的广泛应用 | 第25-28页 |
| 1.4 InAlN 基 HEMT 器件的研究进展 | 第28-30页 |
| 1.5 本文的研究内容和主要工作 | 第30-33页 |
| 第二章 高质量 GaN 基板材料生长研究 | 第33-43页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 AlN 阻挡层技术 | 第34-39页 |
| 2.3 阶变 V/III 比技术 | 第39-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 近晶格匹配 InAlN/AlN/GaN 异质结 PMOCVD 生长研究 | 第43-61页 |
| 3.1 InAlN 及其异质结材料外延技术的挑战 | 第43-46页 |
| 3.2 InAlN 及其异质结的研究进展 | 第46-47页 |
| 3.3 InAlN/AlN/GaN 异质结的 PMOCVD 生长研究 | 第47-60页 |
| 3.3.1 PMOCVD 方法简介 | 第47-49页 |
| 3.3.2 外延压强影响 | 第49-51页 |
| 3.3.3 TMIn 脉冲宽度影响 | 第51-52页 |
| 3.3.4 外延温度影响 | 第52-55页 |
| 3.3.5 PMOCVD 外延成果 | 第55-58页 |
| 3.3.6 PMOCVD 技术的优势 | 第58-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 AlN 界面插入层对 InAlN/GaN 异质结性能影响研究 | 第61-75页 |
| 4.1 AlN 界面插入层的引入 | 第61-62页 |
| 4.2 AlN 界面插入层对 InAlN/AlN/GaN 异质结能带结构的影响 | 第62-66页 |
| 4.2.1 InAlN/GaN 异质结中界面插入层的种类 | 第62-63页 |
| 4.2.2 AlN 界面插入层对 InAlN/AlN/GaN 能带结构和 2DEG 分布的影响 | 第63-66页 |
| 4.3 AlN 界面插入层厚度对 InAlN/AlN/GaN 异质结性能的影响 | 第66-71页 |
| 4.3.1 AlN 界面插入层厚度的控制和测试 | 第66-68页 |
| 4.3.2 AlN 界面插入层厚度对 InAlN/AlN/GaN 异质结表面形貌的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.3 AlN 界面插入层厚度对 InAlN/AlN/GaN 异质结输运特性的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.4 最优厚度 AlN 界面插入层对 InAlN/GaN 异质结输运特性的提高 | 第70-71页 |
| 4.4 InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 异质结的散射机制 | 第71-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 InAlN/AlN/GaN HEMT 器件制备与特性研究 | 第75-95页 |
| 5.1 InAlN 厚膜材料特性研究 | 第75-80页 |
| 5.1.1 GaN 基板上 InAlN 薄膜的临界弛豫厚度 | 第75-76页 |
| 5.1.2 InAlN 厚膜材料特性研究 | 第76-80页 |
| 5.2 InAlN 势垒层厚度对 InAlN/AlN/GaN 异质结性能的影响 | 第80-83页 |
| 5.2.1 InAlN/AlN/GaN 异质结势垒层的临界耗尽厚度 | 第80-82页 |
| 5.2.2 InAlN 势垒层厚度对 InAlN/AlN/GaN 输运特性影响 | 第82-83页 |
| 5.3 基于 SiC 衬底的 InAlN/AlN/GaN 异质结外延生长及特性研究 | 第83-87页 |
| 5.3.1 SiC 衬底上 GaN 基板材料的外延生长 | 第84页 |
| 5.3.2 衬底种类对 GaN 基板材料应变状态的影响 | 第84-86页 |
| 5.3.3 基于 SiC 衬底的 InAlN/AlN/GaN 异质结外延生长 | 第86-87页 |
| 5.4 InAlN/AlN/GaN HEMT 器件制备与特性研究 | 第87-94页 |
| 5.4.1 InAlN/AlN/GaN HEMT 器件的制备 | 第88页 |
| 5.4.2 基于蓝宝石衬底的 InAlN/AlN/GaN HEMT 器件特性 | 第88-90页 |
| 5.4.3 基于 SiC 衬底的 InAlN/AlN/GaN HEMT 器件特性 | 第90-92页 |
| 5.4.4 InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT 器件特性 | 第92-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道异质结材料与器件研究 | 第95-113页 |
| 6.1 GaN 帽层的生长优化和对 InAlN/AlN/GaN 异质结性能的影响 | 第95-99页 |
| 6.1.1 高温退火对 InAlN/AlN/GaN 异质结性能影响 | 第96-97页 |
| 6.1.2 GaN 帽层的生长优化 | 第97-99页 |
| 6.2 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道异质结材料生长与性能研究 | 第99-106页 |
| 6.2.1 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道异质结材料外延生长 | 第100-103页 |
| 6.2.2 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道异质结材料性能 | 第103-106页 |
| 6.3 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道 HEMT 器件研究 | 第106-112页 |
| 6.3.1 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道 HEMT 器件制备 | 第106-107页 |
| 6.3.2 InAlN/GaN/InAlN/GaN 双沟道 HEMT 器件性能 | 第107-112页 |
| 6.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 第七章 超宽禁带氮化物半导体异质结材料研究 | 第113-129页 |
| 7.1 超薄势垒 AlN/GaN 异质结材料与 HEMT 器件研究 | 第113-121页 |
| 7.1.1 超薄势垒 AlN/GaN 异质结材料研究背景 | 第113-114页 |
| 7.1.2 超薄势垒 AlN/GaN 异质结材料外延生长 | 第114-120页 |
| 7.1.3 超薄势垒 AlN/GaN HEMT 器件制备与性能 | 第120-121页 |
| 7.2 近晶格匹配 InAlN/AlGaN 异质结材料研究 | 第121-128页 |
| 7.2.1 近晶格匹配 InAlN/AlGaN 异质结研究背景 | 第121-123页 |
| 7.2.2 高质量 AlGaN 沟道材料生长 | 第123-125页 |
| 7.2.3 近晶格匹配 InAlN/AlGaN 异质结材料生长 | 第125-128页 |
| 7.3 本章小结 | 第128-129页 |
| 第八章 全文总结 | 第129-133页 |
| 8.1 本文的主要结论 | 第129-131页 |
| 8.2 未来的工作 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-153页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第153-158页 |
