| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 ZnO基本特性 | 第11-12页 |
| 1.3 ZnO薄膜晶体管 | 第12-16页 |
| 1.4 溶液法制备ZnO基薄膜晶体管 | 第16-22页 |
| 1.5 本论文的研究内容及架构 | 第22-24页 |
| 第二章 样品制备及表征测试 | 第24-38页 |
| 2.1 纳米纤维制备 | 第24-27页 |
| 2.2 薄膜生长 | 第27-31页 |
| 2.2.1 磁控溅射ITO薄膜 | 第27-29页 |
| 2.2.2 电子束蒸发生长电极 | 第29-30页 |
| 2.2.3 原子层淀积(ALD)生长栅介质 | 第30-31页 |
| 2.3 图形化 | 第31-32页 |
| 2.4 薄膜晶体管测试及参数提取 | 第32-38页 |
| 2.4.1 薄膜晶体管基本结构和工作原理 | 第32-34页 |
| 2.4.2 薄膜晶体管重要参数提取 | 第34-38页 |
| 第三章 ZnO薄膜及薄膜场效应晶体管的制备及性能研究 | 第38-54页 |
| 3.1 ZnO半导体薄膜的制备与表征 | 第38-42页 |
| 3.1.1 ZnO薄膜制备 | 第38-39页 |
| 3.1.2 ZnO薄膜结构及性能 | 第39-42页 |
| 3.2 ZnO薄膜晶体管制备及性能研究 | 第42-53页 |
| 3.2.1 ZnO薄膜晶体管结构设计 | 第43-44页 |
| 3.2.2 ZnO薄膜晶体管工艺开发 | 第44-48页 |
| 3.2.3 退火气氛对ZnO-TFT器件性能的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.4 High-kAl_2O_3栅介质用于ZnO-TFT器件 | 第49-52页 |
| 3.2.5 退火温度对ZnO-TFT器件特性的影响 | 第52-53页 |
| 3.3 小结 | 第53-54页 |
| 第四章 柔性ZnO薄膜晶体管 | 第54-63页 |
| 4.1 柔性薄膜晶体管结构设计 | 第54页 |
| 4.2 柔性薄膜晶体管制备 | 第54-55页 |
| 4.3 柔性ZnO-TFT电学性能 | 第55-61页 |
| 4.3.1 栅介质性能分析 | 第55-56页 |
| 4.3.2 柔性ZnO-TFT性能分析 | 第56-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-63页 |
| 第五章 氧化物纳米纤维及器件制备及性能表征 | 第63-72页 |
| 5.1 ZnO纳米纤维及器件 | 第63-66页 |
| 5.1.1 ZnO前驱体溶液制备 | 第63页 |
| 5.1.2 ZnO纳米纤维制备 | 第63-64页 |
| 5.1.3 ZnO纳米纤维结构表征 | 第64-65页 |
| 5.1.4 ZnO纳米纤维场效应晶体管集成 | 第65-66页 |
| 5.2 锆钛酸铅(Pb(Zr_(0.3),Ti_(0.7))O_3)纳米纤维制备及性能表征 | 第66-70页 |
| 5.2.1 PZT电纺丝溶液制备 | 第66页 |
| 5.2.2 PZT纳米纤维制备 | 第66页 |
| 5.2.3 PZT结构及性能分析 | 第66-70页 |
| 5.3 小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
