| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 研究工作的背景 | 第11-14页 |
| 1.2 二维层状材料场效应器件温度特性的研究进展 | 第14-24页 |
| 1.2.1 石墨烯场效应器件温度特性的研究进展 | 第14-22页 |
| 1.2.2 金属硫属化合物场效应器件温度特性的研究进展 | 第22-24页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第24-26页 |
| 第二章 二维层状材料场效应器件的制备与表征技术 | 第26-43页 |
| 2.1 介电层薄膜的射频反应溅射制备技术 | 第26-28页 |
| 2.2 二维层状材料场效应器件的制备 | 第28-33页 |
| 2.2.1 二维层状材料的生长与转移 | 第28-31页 |
| 2.2.2 二维层状材料与器件电极的的图形化制备 | 第31-33页 |
| 2.3 介电层薄膜和二维层状材料的物性表征技术 | 第33-41页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第33-34页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第34-36页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜 | 第36-37页 |
| 2.3.4 拉曼光谱 | 第37页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第37-38页 |
| 2.3.6 基于 3-omega原理的薄膜热导率测试系统 | 第38-40页 |
| 2.3.7 基于激光光热反射法的薄膜热物性表征技术 | 第40-41页 |
| 2.4 背栅场效应器件电学性能测试方法 | 第41-43页 |
| 第三章 AlN介电层薄膜制备及其传热性能研究 | 第43-62页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验方法与条件 | 第44页 |
| 3.3 溅射功率优化过程 | 第44-47页 |
| 3.4 溅射气氛对薄膜热导率的影响 | 第47-52页 |
| 3.5 衬底加热温度对薄膜热导率的影响 | 第52-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 介电层热导率对石墨烯场效应器件自发热效应的影响 | 第62-83页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 石墨烯场效应器件的制备 | 第62-66页 |
| 4.3 石墨烯场效应器件在不同温度下的电学性能 | 第66-70页 |
| 4.4 介电层材料对石墨烯场效应器件自发热效应的影响 | 第70-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 SnS_(2-x)Se_x层状化合物场效应器件温度效应的初步研究 | 第83-98页 |
| 5.1 引言 | 第83页 |
| 5.2 SnS_(2-x)Se_x层状化合物场效应器件的制备 | 第83-87页 |
| 5.3 SnS_(2-x)Se_x层状化合物场效应器件在不同温度下的电学性能 | 第87-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第98-102页 |
| 6.1 全文总结 | 第98-100页 |
| 6.2 论文工作主要创新点 | 第100页 |
| 6.3 后续工作展望 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-112页 |
| 攻读博士期间取得的成果 | 第112-114页 |
