| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-31页 |
| 1.1 前言 | 第21页 |
| 1.2 InGaAs基MOSFET的优势 | 第21-24页 |
| 1.3 柔性可弯曲延展无机电子器件系统研究的前景 | 第24-26页 |
| 1.4 柔性化InGaAs MOSFET器件平台的优势 | 第26-29页 |
| 1.4.1 国内外研究进展 | 第27-28页 |
| 1.4.2 柔性可弯曲InGaAs MOSFET制备的关键问题的研究 | 第28-29页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ MOSFET及MOS电容器件理论 | 第31-47页 |
| 2.1 Ⅲ-Ⅴ MOSFET在高速低功耗数字电路领域应用前景 | 第31-33页 |
| 2.1.1 国际半导体新技术发展前瞻 | 第31-32页 |
| 2.1.2 高性能低功耗数字电路应用：Ⅲ-Ⅴ MOSFET vs.Ⅲ-Ⅴ HEMT | 第32-33页 |
| 2.2 Ⅲ-Ⅴ MOSFET关键特性参数 | 第33-37页 |
| 2.2.1 亚阈值摆幅(SS) | 第34-35页 |
| 2.2.2 漏端引入的势垒降低效应(DIBL) | 第35-36页 |
| 2.2.3 栅致漏极漏电效应(GIDL) | 第36-37页 |
| 2.2.4 I_(on)/I_(off)比值 | 第37页 |
| 2.3 Ⅲ-Ⅴ MOS结构界面物理及电路模型和界面态密度的提取方法研究 | 第37-42页 |
| 2.3.1 介质层/Ⅲ-Ⅴ 界面物理模型 | 第37-39页 |
| 2.3.2 Ⅲ-Ⅴ MOS电容结构的电路模型分析 | 第39-42页 |
| 2.4 界面态密度的主要提取方法 | 第42-45页 |
| 2.4.1 C-V提取法 | 第42-43页 |
| 2.4.2 电导法 | 第43-45页 |
| 2.4.3 高K介质/Ⅲ-Ⅴ界面态密度D_(it)精确提取的实现条件 | 第45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 高K介质的GaAs MOS电容研究 | 第47-71页 |
| 3.1 氧化层/Ⅲ-Ⅴ 界面费米能级钉扎的成因以及改善其界面特性的方法 | 第47-53页 |
| 3.1.1 氧化层/GaAs界面费米能级钉扎的成因 | 第47-48页 |
| 3.1.2 氧化层/GaAs界面特性的改善技术研究 | 第48-53页 |
| 3.2 GaAs MOS电容基本电特性以及界面特性参数提取 | 第53-56页 |
| 3.2.1 GaAs MOS电容的C-V特性 | 第53-54页 |
| 3.2.2 界面态密度D_(it)提取的具体方法 | 第54-55页 |
| 3.2.3 GaAs MOS电容电流输运机制 | 第55-56页 |
| 3.3 Al/Al_2O_3/ZnO/n-GaAs MOS电容界面特性研究 | 第56-62页 |
| 3.3.1 MOS电容制备 | 第56页 |
| 3.3.2 测试结果与分析 | 第56-62页 |
| 3.4 介质ALD生长以及介质淀积后退火温度对HfO_2/p-GaAs MOS电容界面以及电学特性的影响研究 | 第62-70页 |
| 3.4.1 实验样品制备 | 第62-63页 |
| 3.4.2 界面表征研究 | 第63-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 COMSOL仿真平台介绍及GaAs纳米功能薄膜可弯曲机械性能模拟 | 第71-91页 |
| 4.1 COMSOL Multiphysics仿真软件平台介绍 | 第71-72页 |
| 4.1.1 COMSOL Multiphysics软件简介 | 第71页 |
| 4.1.2 结构力学模块(Structural Mechanics Module) | 第71-72页 |
| 4.2 GaAs纳米薄膜可弯曲机械性能的COMSOL模拟计算 | 第72-77页 |
| 4.2.1 简化的模型结构和相关的物理参数 | 第72-73页 |
| 4.2.2 模型结构的力学弯曲模拟和分析 | 第73-77页 |
| 4.3 纳米级功能薄膜层转印理论 | 第77-81页 |
| 4.3.1 转印的基本概念 | 第77-78页 |
| 4.3.2 转印技术的机械原理 | 第78-79页 |
| 4.3.3 转印技术的定量研究 | 第79-81页 |
| 4.4 可实现转印的InGaAs MOSFET外延结构设计与薄膜层剥离工艺的优化 | 第81-89页 |
| 4.4.1 可转印的半导体外延材料结构设计 | 第81-83页 |
| 4.4.2 功能薄膜层(Nanomembrane)undercut工艺的优化和薄膜层表面polishing技术的研究 | 第83-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 基于柔性衬底的In_(0.2)Ga_(0.8)As MOSFET关键工艺研究及器件制备 | 第91-117页 |
| 5.1 基于柔性衬底的In_(0.2)Ga_(0.8)As MOSFET版图设计 | 第91-93页 |
| 5.2 离子注入及欧姆接触特性研究 | 第93-100页 |
| 5.2.1 Si离子注入实验设计 | 第93-94页 |
| 5.2.2 N型In_(0.2)Ga_(0.8)As欧姆接触研究 | 第94-100页 |
| 5.3 InGaAs membrane转印技术的研究 | 第100-106页 |
| 5.3.1 Etching hole干法刻蚀工艺 | 第101-104页 |
| 5.3.2 功能薄膜层转印方法的研究 | 第104-106页 |
| 5.4 基于柔性衬底的InGaAs MOSFET器件制备及电学特性表征 | 第106-115页 |
| 5.4.1 初始样品 | 第106-107页 |
| 5.4.2 器件制备的详细工艺流程 | 第107-111页 |
| 5.4.3 电学测试与结果分析 | 第111-115页 |
| 5.5 本章小结 | 第115-117页 |
| 第六章 总结与展望 | 第117-121页 |
| 参考文献 | 第121-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 作者简介 | 第133-134页 |
