| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 高压SOI横向器件与集成技术概述 | 第12-19页 |
| 1.2 行扫描驱动方法简介 | 第19-23页 |
| 1.3 本文的主要工作和创新点 | 第23-25页 |
| 第二章 高压SOI横向功率器件 | 第25-64页 |
| 2.1 高压SOI器件耐压模型 | 第25-29页 |
| 2.1.1 横向耐压模型 | 第25-27页 |
| 2.1.2 纵向耐压模型 | 第27-29页 |
| 2.2 高压SOI NLDMOS特性 | 第29-44页 |
| 2.2.1 器件结构 | 第29页 |
| 2.2.2 耐压特性 | 第29-36页 |
| 2.2.2.1 背栅效应 | 第29-31页 |
| 2.2.2.2 漂移区对关态特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.2.2.3 场板对耐压特性的影响 | 第32-35页 |
| 2.2.2.4 STI的位置对耐压特性的影响 | 第35-36页 |
| 2.2.3 开态特性 | 第36-41页 |
| 2.2.3.1 阈值电压 | 第36-37页 |
| 2.2.3.2 比导通电阻 | 第37-39页 |
| 2.2.3.3 安全工作区 | 第39-41页 |
| 2.2.4 具有N-buffer层的NLDMOS | 第41-43页 |
| 2.2.5 高压SOI NLDMOS设计 | 第43-44页 |
| 2.3 高压SOI PLDMOS特性 | 第44-50页 |
| 2.3.1 器件结构 | 第44-45页 |
| 2.3.2 耐压特性 | 第45-46页 |
| 2.3.3 开态特性 | 第46-49页 |
| 2.3.3.1 阈值电压 | 第47页 |
| 2.3.3.2 安全工作区 | 第47-49页 |
| 2.3.4 高压SOI PLDMOS设计 | 第49-50页 |
| 2.4 具有部分高K介质埋层的SOI PLDMOS | 第50-56页 |
| 2.4.1 器件结构 | 第50-52页 |
| 2.4.2 器件参数的优化与仿真 | 第52-56页 |
| 2.5 垂直型恒流二极管 | 第56-63页 |
| 2.5.1 恒流二极管及其应用 | 第56-58页 |
| 2.5.2 器件结构 | 第58页 |
| 2.5.3 器件仿真结果及参数分析 | 第58-62页 |
| 2.5.4 场限环终端的设计 | 第62-63页 |
| 2.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第三章 高压行扫描驱动电路 | 第64-79页 |
| 3.1 高压行扫描驱动电路总体设计 | 第64-65页 |
| 3.2 F/6 分频器 | 第65-67页 |
| 3.2.1 F/6 分频器功能与原理 | 第65-66页 |
| 3.2.2 F/6 分频器仿真 | 第66-67页 |
| 3.3 输入选择电路 | 第67-68页 |
| 3.3.1 输入选择电路功能与原理 | 第67页 |
| 3.3.2 输入选择电路仿真 | 第67-68页 |
| 3.4 移位寄存器 | 第68-73页 |
| 3.4.1 6 bit移位寄存器功能与原理 | 第68-69页 |
| 3.4.2 6 bit移位寄存器仿真 | 第69-70页 |
| 3.4.3 16 bit移位寄存器功能与原理 | 第70-72页 |
| 3.4.4 16 bit移位寄存器仿真 | 第72-73页 |
| 3.5 输出信号产生电路 | 第73-76页 |
| 3.5.1 输出信号产生电路功能与原理 | 第73-74页 |
| 3.5.2 输出信号产生电路分析与仿真 | 第74-76页 |
| 3.6 电平位移电路 | 第76-77页 |
| 3.6.1 电平位移电路功能与原理 | 第76-77页 |
| 3.6.2 电平位移电路仿真 | 第77页 |
| 3.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 高压SOI器件和行扫描驱动电路实验与分析 | 第79-101页 |
| 4.1 工艺流程 | 第79-81页 |
| 4.2 版图设计 | 第81-86页 |
| 4.2.1 版图设计规则 | 第82-84页 |
| 4.2.2 高压器件版图 | 第84-85页 |
| 4.2.3 高压驱动电路版图 | 第85-86页 |
| 4.3 高压SOI LDMOS测试和模型参数提取 | 第86-91页 |
| 4.3.1 高压SOI LDMOS测试结果 | 第86-88页 |
| 4.3.2 高压SOI LDMOS模型参数提取 | 第88-91页 |
| 4.4 电平位移电路测试 | 第91-93页 |
| 4.5 行扫描驱动电路测试 | 第93-99页 |
| 4.5.1 测试准备 | 第93-94页 |
| 4.5.2 总体测试 | 第94-96页 |
| 4.5.3 单路电压电流测试 | 第96-98页 |
| 4.5.4 电磁干扰EMI测试 | 第98-99页 |
| 4.6 上屏测试 | 第99-100页 |
| 4.7 本章小结 | 第100-101页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第101-103页 |
| 5.1 全文总结 | 第101-102页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-113页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第113-115页 |