FHXD场效应管产品降低内阻值项目研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题提出的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 课题研究理论基础 | 第12-13页 |
| 1.3.1 田口方法介绍 | 第12页 |
| 1.3.2 系统设计介绍 | 第12页 |
| 1.3.3 参数设计介绍 | 第12-13页 |
| 1.3.4 容差设计介绍 | 第13页 |
| 1.4 课题研究思路 | 第13-14页 |
| 1.5 课题研究目标 | 第14-15页 |
| 第二章 研究问题描述 | 第15-22页 |
| 2.1 半导体封装简介 | 第15-17页 |
| 2.1.1 封装的作用和要求 | 第15-16页 |
| 2.1.2 半导体封装形式 | 第16页 |
| 2.1.3 封装工艺流程 | 第16-17页 |
| 2.2 产品内阻偏高情况介绍 | 第17-18页 |
| 2.3 场效应管内阻的产生 | 第18-19页 |
| 2.4 封装对场效应管内阻偏高的影响因素 | 第19-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 田口方法在封装工艺选定中的应用 | 第22-34页 |
| 3.1 影响产品内阻结果的因子分类 | 第22-23页 |
| 3.2 因子与水平的确定 | 第23-33页 |
| 3.2.1 可控因子与水平参数的确定 | 第23-32页 |
| 3.2.2 噪声因子与水平参数的确定 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 运用田口方法进行参数设计与分析 | 第34-51页 |
| 4.1 参数设计的两步法则 | 第34-41页 |
| 4.1.1 稳健性设计 | 第34-37页 |
| 4.1.2 灵敏度设计 | 第37-40页 |
| 4.1.3 综合噪声因子 | 第40-41页 |
| 4.2 参数设计与分析 | 第41-50页 |
| 4.2.1 构建正交表 | 第41-42页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第42-43页 |
| 4.2.3 信噪比分析 | 第43-44页 |
| 4.2.4 统计分析 | 第44-49页 |
| 4.2.5 灵敏度分析 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 验证试验和经济效益评估 | 第51-55页 |
| 5.1 验证实验 | 第51页 |
| 5.2 经济效益评估 | 第51-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 结论 | 第55页 |
| 6.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附件 | 第61页 |
