高电子迁移率晶体管建模及参数提取
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 晶体管建模的要求 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-17页 |
| 1.3.1 晶体管建模文献调研 | 第10-14页 |
| 1.3.2 HEMT小信号模型研究动态 | 第14-15页 |
| 1.3.3 HEMT非线性模型研究动态 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的组织结构及主要贡献 | 第17-19页 |
| 第2章 基础知识 | 第19-25页 |
| 2.1 HEMT器件结构和工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 信号参数矩阵 | 第20-23页 |
| 2.2.1 阻抗参数矩阵与导纳参数矩阵 | 第20-21页 |
| 2.2.2 微波网络S参数 | 第21-23页 |
| 2.3 HEMT建模流程 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 HEMT小信号建模研究 | 第25-37页 |
| 3.1 小信号等效电路模型 | 第25-26页 |
| 3.2 小信号模型参数的提取 | 第26-31页 |
| 3.2.1 焊盘电容的提取 | 第27-29页 |
| 3.2.2 寄生参数的提取 | 第29-31页 |
| 3.3 结果分析与模型验证 | 第31-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 HEMT非线性建模的研究 | 第37-61页 |
| 4.1 HEMT大信号模型的分类 | 第37-39页 |
| 4.2 经典FET大信号模型简介 | 第39-43页 |
| 4.2.1 Curtice模型 | 第40-41页 |
| 4.2.2 Statz模型 | 第41-42页 |
| 4.2.3 Angelov模型 | 第42页 |
| 4.2.4 Materka模型 | 第42-43页 |
| 4.2.5 EEHEMT1模型 | 第43页 |
| 4.3 改进的HEMT的I-V非线性模型 | 第43-50页 |
| 4.3.1 I-V特性高阶导数的研究方法概况 | 第43-46页 |
| 4.3.2 考虑I-V高阶导数精度的HEMT模型 | 第46-47页 |
| 4.3.3 模型的验证 | 第47-50页 |
| 4.4 基于人工神经网络的温度相关的模型 | 第50-59页 |
| 4.4.1 HEMT热效应 | 第50页 |
| 4.4.2 神经网络概述 | 第50-51页 |
| 4.4.3 神经网络模型的构建 | 第51-53页 |
| 4.4.4 神经网络模型的训练 | 第53-54页 |
| 4.4.5 神经网络模型的验证 | 第54-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第61-62页 |
| 5.2 未来展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
