功率VDMOS器件用6英寸高性能硅外延材料的工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 半导体概述 | 第8-10页 |
| 1.1.1 半导体的定义 | 第8页 |
| 1.1.2 半导体分类 | 第8-9页 |
| 1.1.3 半导体特点 | 第9-10页 |
| 1.2 外延层简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 外延层的定义 | 第10页 |
| 1.2.2 外延层的分类及作用 | 第10-12页 |
| 1.3 VDMOS场效应管用外延片 | 第12-16页 |
| 1.4 外延生长设备 | 第16-21页 |
| 1.4.1 气相外延设备的主要结构 | 第18-19页 |
| 1.4.2 反应腔体结构 | 第19页 |
| 1.4.3 加热装置 | 第19-20页 |
| 1.4.4 气体控制系统 | 第20-21页 |
| 第二章 外延层生长工艺 | 第21-27页 |
| 2.1 外延层生长概述 | 第21页 |
| 2.2 外延层生长动力学过程 | 第21-22页 |
| 2.2.1 气-固表面的化学反应的模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 气相均质反应模型 | 第22页 |
| 2.3 工艺参数对生长速率的影响 | 第22-24页 |
| 2.3.1 气体浓度对生长速率的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.2 温度对生长速率的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.3 气流速度对生长速率的影响 | 第24页 |
| 2.4 外延层工艺流程 | 第24-25页 |
| 2.5 外延层生长所要用到的气体 | 第25-27页 |
| 第三章 外延层的生长控制 | 第27-40页 |
| 3.1 外延层的缺陷控制 | 第28-32页 |
| 3.2 外延层厚度控制 | 第32-36页 |
| 3.2.1 外延层生长速率和温度的关系 | 第32页 |
| 3.2.2 外延层生长速率和气流的关系 | 第32页 |
| 3.2.3 外延层厚度和硅源浓度的关系 | 第32-33页 |
| 3.2.4 外延层厚度和时间的关系 | 第33页 |
| 3.2.5 外延层厚度的测量 | 第33-36页 |
| 3.3 外延层电阻率控制 | 第36-40页 |
| 第四章 外延层的参数一致性控制 | 第40-58页 |
| 4.1 实验材料及设备 | 第40-43页 |
| 4.2 外延生长工艺 | 第43页 |
| 4.3 厚度均匀性控制 | 第43-45页 |
| 4.4 电阻率均匀性控制 | 第45-49页 |
| 4.5 过渡区控制 | 第49-52页 |
| 4.6 晶体结构完整性控制 | 第52-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结与讨论 | 第58-59页 |
| 5.2 工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
