首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

碳化硅MOSFET驱动技术研究

摘要第8-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第12-24页
    1.1 课题研究背景及意义第12页
    1.2 碳化硅(Sic)功率器件发展现状第12-20页
    1.3 碳化硅(Sic)MOSFET应用技术研究综述第20-22页
    1.4 论文主要研究内容第22-24页
第二章 新型碳化硅(Sic)MOSFET驱动电路设计第24-44页
    2.1 传统MOSFET驱动电路第24-26页
    2.2 商用碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路设计第26-28页
    2.3 新型碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路第28-37页
        2.3.1 串扰原理分析第28-31页
        2.3.2 串扰抑制措施第31-34页
        2.3.3 新型碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路及其工作原理第34-37页
    2.4 驱动电路硬件设计第37-43页
        2.4.1 供电电源设计第37-38页
        2.4.2 隔离方式选择第38-39页
        2.4.3 驱动电路负压尖峰抑制电路参数计算第39-43页
    2.5 本章小结第43-44页
第三章 驱动电路仿真与实验验证第44-57页
    3.1 驱动电路LTspice模型搭建第44-48页
        3.1.1 同步Buck变换器工作原理第44页
        3.1.2 LTspice仿真软件应用第44-45页
        3.1.3 仿真结果分析第45-48页
    3.2 同步Buck变换器电路实验第48-52页
        3.2.1 同步Buck变换器硬件平台设计第48-49页
        3.2.2 实验条件第49页
        3.2.3 实验结果分析第49-52页
    3.3 三相逆变电路实验第52-55页
        3.3.1 三相逆变器硬件平台设计第52-55页
        3.3.2 实验结果分析第55页
    3.4 本章小结第55-57页
第四章 碳化硅(SiC)MOSFET串联技术研究第57-67页
    4.1 碳化硅(SiC)功率开关器件串联运行综述第57-58页
    4.2 MOSFET串联均压研究第58-62页
        4.2.1 静态均压技术第58-59页
        4.2.2 动态均压技术第59-60页
        4.2.3 MOSFET均压技术仿真验证第60-62页
    4.3 碳化硅(SiC)MOSFET串联拓扑的栅极驱动均压电路设计第62-65页
    4.4 本章小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-68页
参考文献第68-76页
致谢第76-78页
攻读硕士学位期间发表的论文第78-79页
学位论文评阅及答辩情况表第79页

论文共79页,点击 下载论文
上一篇:分布式光伏发电并网系统研究与设计
下一篇:储能式电动汽车充电桩的充放电控制系统研究