摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第12-24页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第12页 |
1.2 碳化硅(Sic)功率器件发展现状 | 第12-20页 |
1.3 碳化硅(Sic)MOSFET应用技术研究综述 | 第20-22页 |
1.4 论文主要研究内容 | 第22-24页 |
第二章 新型碳化硅(Sic)MOSFET驱动电路设计 | 第24-44页 |
2.1 传统MOSFET驱动电路 | 第24-26页 |
2.2 商用碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路设计 | 第26-28页 |
2.3 新型碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路 | 第28-37页 |
2.3.1 串扰原理分析 | 第28-31页 |
2.3.2 串扰抑制措施 | 第31-34页 |
2.3.3 新型碳化硅(SiC)MOSFET驱动电路及其工作原理 | 第34-37页 |
2.4 驱动电路硬件设计 | 第37-43页 |
2.4.1 供电电源设计 | 第37-38页 |
2.4.2 隔离方式选择 | 第38-39页 |
2.4.3 驱动电路负压尖峰抑制电路参数计算 | 第39-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-44页 |
第三章 驱动电路仿真与实验验证 | 第44-57页 |
3.1 驱动电路LTspice模型搭建 | 第44-48页 |
3.1.1 同步Buck变换器工作原理 | 第44页 |
3.1.2 LTspice仿真软件应用 | 第44-45页 |
3.1.3 仿真结果分析 | 第45-48页 |
3.2 同步Buck变换器电路实验 | 第48-52页 |
3.2.1 同步Buck变换器硬件平台设计 | 第48-49页 |
3.2.2 实验条件 | 第49页 |
3.2.3 实验结果分析 | 第49-52页 |
3.3 三相逆变电路实验 | 第52-55页 |
3.3.1 三相逆变器硬件平台设计 | 第52-55页 |
3.3.2 实验结果分析 | 第55页 |
3.4 本章小结 | 第55-57页 |
第四章 碳化硅(SiC)MOSFET串联技术研究 | 第57-67页 |
4.1 碳化硅(SiC)功率开关器件串联运行综述 | 第57-58页 |
4.2 MOSFET串联均压研究 | 第58-62页 |
4.2.1 静态均压技术 | 第58-59页 |
4.2.2 动态均压技术 | 第59-60页 |
4.2.3 MOSFET均压技术仿真验证 | 第60-62页 |
4.3 碳化硅(SiC)MOSFET串联拓扑的栅极驱动均压电路设计 | 第62-65页 |
4.4 本章小结 | 第65-67页 |
第五章 总结与展望 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-76页 |
致谢 | 第76-78页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第79页 |