| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 GaN 基半导体材料结构及性能 | 第14-17页 |
| 1.2 AlGaN/GaN 异质结 | 第17-21页 |
| 1.3 增强型 AlGaN/GaN HEMTs | 第21-27页 |
| 1.4 AlGaN/GaN MISHEMTs | 第27-30页 |
| 1.5 论文选题及研究方案 | 第30-33页 |
| 第二章 实验方法 | 第33-51页 |
| 2.1 栅介质薄膜的制备方法 | 第33-35页 |
| 2.2 AlGaN/GaN 器件工艺 | 第35-41页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN 器件工艺过程 | 第36-37页 |
| 2.2.2 光刻工艺过程 | 第37-41页 |
| 2.3 栅介质薄膜结构分析手段 | 第41-44页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第41-42页 |
| 2.3.2 X 射线衍射（XRD） | 第42-43页 |
| 2.3.3 X 光电子能谱（XPS） | 第43-44页 |
| 2.4 栅介质薄膜及器件电学性能测试方法 | 第44-51页 |
| 2.4.1 电流-电压（I-V）特性测试 | 第44-46页 |
| 2.4.2 电容-电压（C-V）特性测试 | 第46-49页 |
| 2.4.3 薄膜铁电特性测试 | 第49-50页 |
| 2.4.4 霍尔（Hall）效应测试 | 第50-51页 |
| 第三章 非极性介电薄膜对 AlGaN/GaN MISHEMTs 特性的影响 | 第51-78页 |
| 3.1 欧姆接触的研究 | 第51-55页 |
| 3.2 Al_2O_3薄膜表征 | 第55-58页 |
| 3.3 Al_2O_3薄膜对 AlGaN/GaNMISHEMTs 性能的影响 | 第58-63页 |
| 3.4 Al_2O_3薄膜对 AlGaN/GaN 界面 2DEG 输运特性的影响 | 第63-69页 |
| 3.5 Al_2O_3薄膜对 AlGaN/GaN 界面 2DEG 输运特性的影响机理 | 第69-76页 |
| 3.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 SBA 电解质薄膜对 AlGaN/GaN MISHEMTs 特性的影响 | 第78-111页 |
| 4.1 SBA 薄膜表征 | 第80-85页 |
| 4.2 SBA 薄膜对 AlGaN/GaN MISHEMTs 性能的影响 | 第85-100页 |
| 4.2.1 具有 AlO_x/AlGaN 界面特征的 AlGaN/GaN MISHEMTs 性能 | 第85-92页 |
| 4.2.2 具有 Na~+/AlGaN 界面特征的 AlGaN/GaN MISHEMTs 性能 | 第92-100页 |
| 4.3 界面荷电特性对 AlGaN/GaN MISHEMTs 性能的影响机理 | 第100-109页 |
| 4.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 第五章 铁电极化特性对 AlGaN/GaN MISHEMTs 特性的影响 | 第111-137页 |
| 5.1 HfTiO 介绍 | 第112-115页 |
| 5.2 HfTiO 薄膜表征 | 第115-125页 |
| 5.3 HfTiO 铁电薄膜对 AlGaN/GaN MISHEMTs 性能的影响 | 第125-135页 |
| 5.3.1 HfO_2/HfTiO/HfO_2铁电栅 AlGaN/GaN MISHEMTs 特性 | 第125-129页 |
| 5.3.2 HfO_2/HfTiO 铁电栅 AlGaN/GaN MISHEMTs 特性 | 第129-135页 |
| 5.4 本章小结 | 第135-137页 |
| 第六章 结论 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-155页 |
| 博士期间取得的研究成果 | 第155-156页 |
