| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 InAlN/GaN异质结材料与器件的研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2 InAlN、GaN材料的结构参数性质 | 第17-24页 |
| 1.2.1 GaN基本性质 | 第17-18页 |
| 1.2.2 InAlN材料基本性质 | 第18-20页 |
| 1.2.3 InAlN/GaN异质结材料中的极化特性 | 第20-24页 |
| 1.3 InAlN/GaN异质结器件的发展历史和研究现状 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的研究内容与安排 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第28-37页 |
| 2.1 InAIN/AlN/GaN异质结材料的生长 | 第28-30页 |
| 2.1.1 衬底材料的选择 | 第28页 |
| 2.1.2 MOCVD生长技术 | 第28-29页 |
| 2.1.3 MBE生长技术 | 第29-30页 |
| 2.2 InAlN/AlN/GaN HFETs的制备工艺 | 第30-32页 |
| 2.2.1 版图的设计 | 第30-31页 |
| 2.2.2 器件制备工艺流程 | 第31-32页 |
| 2.3 InAlN/AlN/GaN HFETs的测试 | 第32-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 InAlN/AlN/GaN HFETs界面缺陷态研究 | 第37-57页 |
| 3.1 界面缺陷态研究方法 | 第37-40页 |
| 3.2 方形器件不同尺寸,不同In组分HFETs界面缺陷态研究 | 第40-50页 |
| 3.2.1 不同尺寸In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HFETs界面缺陷态计算分析 | 第41-48页 |
| 3.2.2 不同尺寸In_(0.17)Al_(0.83)N/AlN/GaN HFETs界面缺陷态研究 | 第48-50页 |
| 3.3 In_(0.17)Al_(0.83)N/AlN/GaN HFETs圆形器件界面缺陷态研究 | 第50-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HFETs肖特基漏极串联电阻研究 | 第57-72页 |
| 4.1 功耗法概述 | 第57-60页 |
| 4.2 功耗法和传统HFET方法计算InAlN/AlN/GaN SBD串联电阻比较 | 第60-63页 |
| 4.3 In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HFETs肖特基漏极串联电阻研究方法 | 第63-64页 |
| 4.4 In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HFETs方形器件串联电阻研究 | 第64-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附表 | 第75页 |
