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SiC功率MOSFET驱动与应用电路的研究

摘要第3-4页
abstract第4页
1 绪论第7-13页
    1.1 课题研究背景第7-10页
    1.2 SiC功率MOSFET的研究现状第10-12页
        1.2.1 器件的研究现状第10-11页
        1.2.2 驱动与应用电路的研究现状第11-12页
    1.3 本文的主要工作第12-13页
2 SiC功率MOSFET特性分析第13-25页
    2.1 SiC功率MOSFET结构和特点第13-16页
        2.1.1 SiC功率MOSFET结构第13-15页
        2.1.2 SiC功率MOSFET的性能比较第15-16页
    2.2 SiC功率MOSFET特性第16-19页
        2.2.1 Id-Vds特性第16页
        2.2.2 Id-Vgs特性第16-17页
        2.2.3 导通特性第17-18页
        2.2.4 开通特性第18-19页
        2.2.5 关断特性第19页
    2.3 SiC功率MOSFET特性仿真第19-24页
        2.3.1 仿真电路第20页
        2.3.2 参数设置第20-21页
        2.3.3 仿真结果第21-24页
    2.4 本章小结第24-25页
3 SiC功率MOSFET驱动电路的设计第25-33页
    3.1 驱动电路设计要求第25页
    3.2 SiC功率MOSFET器件选择第25-26页
    3.3 驱动电阻的选择第26-29页
        3.3.1 测试电路第27页
        3.3.2 测试结果分析第27-29页
    3.4 驱动电源的选择第29页
    3.5 驱动电路的设计第29-32页
        3.5.1 设计考虑第29-30页
        3.5.2 电路仿真第30-31页
        3.5.3 电路测试第31-32页
    3.6 本章小结第32-33页
4 SiC功率MOSFET的应用研究第33-50页
    4.1 电路性能要求第33-34页
    4.2 电路原理及其各部分功能第34-36页
    4.3 应用电路的设计第36-44页
        4.3.1 EMI电路第36-38页
        4.3.2 高频变压器的设计第38-39页
        4.3.3 RC电路设计第39-40页
        4.3.4 延时软启动电路设计第40-41页
        4.3.5 光耦隔离电路设计第41-43页
        4.3.6 同步整流电路第43-44页
    4.4 PCB板的设计与装配第44-45页
    4.5 电路性能测试及其结果分析第45-49页
        4.5.1 效率测试第45-47页
        4.5.2 温度测试第47-49页
        4.5.3 测试结果分析第49页
    4.6 本章小结第49-50页
5 总结与展望第50-51页
    5.1 总结第50页
    5.2 展望第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-54页
攻读工程硕士期间发表的论文第54页

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