| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 电力电子技术的介绍 | 第12-14页 |
| 1.2 电力电子器件的介绍 | 第14-18页 |
| 1.3 横向功率MOSFET技术发展介绍 | 第18-27页 |
| 1.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 1.5 本文的主要研究工作 | 第28-30页 |
| 第二章 OPTVLD MOS器件原理及分析 | 第30-47页 |
| 2.1 OPTVLD理论介绍 | 第30-33页 |
| 2.2 OPTVLD技术及其在LDMOS中的应用 | 第33-41页 |
| 2.2.1 OPTVLD理论的实现方法 | 第33-34页 |
| 2.2.2 功率OPTVLD MOS器件 | 第34-37页 |
| 2.2.3 功率OPTVLD MOS实现工艺 | 第37-41页 |
| 2.3 OPTVLD MOS器件特性及分析 | 第41-46页 |
| 2.3.1 OPTVLD MOS输出特性 | 第41页 |
| 2.3.2 OPTVLD MOS输出曲线上翘机理分析 | 第41-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 新型具有两种多数载流子导电的OPTVLD MOS | 第47-71页 |
| 3.1 两种多数载流子同时导电的原理 | 第47-48页 |
| 3.2 具有两种多数载流子导电的三端OPTVLD MOS技术 | 第48-51页 |
| 3.3 一种新型的具有两种多数载流子导电的三端OPTVLD NMOS | 第51-66页 |
| 3.3.1 器件结构和原理 | 第53-54页 |
| 3.3.2 器件特性仿真 | 第54-66页 |
| 3.3.2.1 器件稳态特性 | 第55-64页 |
| 3.3.2.2 器件瞬态特性 | 第64-65页 |
| 3.3.2.3 器件电热特性 | 第65-66页 |
| 3.3.2.4 器件工艺可行性讨论 | 第66页 |
| 3.4 非对称型的具有两种多数载流子导电的三端OPTVLD NMOS | 第66-69页 |
| 3.4.1 器件工作原理 | 第67-68页 |
| 3.4.2 器件特性仿真 | 第68-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 新型利用漂移区表面积累层导电的OPTVLD MOS | 第71-92页 |
| 4.1 利用积累层导电LDMOS的发展介绍 | 第71-75页 |
| 4.2 一种可集成的低压电源技术介绍 | 第75-76页 |
| 4.3 一种具有自驱动分裂栅LDMOS器件 | 第76-91页 |
| 4.3.1 器件结构和原理 | 第76-78页 |
| 4.3.2 器件特性仿真 | 第78-91页 |
| 4.3.2.1 器件稳态特性 | 第79-84页 |
| 4.3.2.2 器件动态特性 | 第84-90页 |
| 4.3.2.3 相关工艺讨论 | 第90-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 具有两种多数载流子导电的积累层LDMOS | 第92-101页 |
| 5.1 器件结构和原理 | 第92-94页 |
| 5.2 器件特性仿真 | 第94-99页 |
| 5.3 器件工艺讨论 | 第99-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第111-112页 |
