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恒流负载驱动电路失效抑制技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第13-18页
    1.1 研究意义和动态第13页
    1.2 失效抑制技术概述第13-16页
        1.2.1 di/dt失效抑制技术第14-15页
        1.2.2 电压自跟随控制技术第15-16页
        1.2.3 恒流调节失效抑制技术第16页
    1.3 本文主要内容和创新点第16-18页
第二章 驱动电路di/dt递进触发控制方法第18-52页
    2.1 MOSFET功率开关工作原理第18-22页
        2.1.1 功率MOSFET发展简介第18-20页
        2.1.2 功率MOSFET工作原理第20-22页
    2.2 MOSFET di/dt控制方法第22-28页
        2.2.1 RC栅驱动di/dt控制方法第22-26页
        2.2.2 有源栅驱动di/dt控制方法第26-28页
        2.2.3 闭环驱动di/dt控制方法第28页
    2.3 MOSFET di/dt递进触发控制(PTC)方法第28-35页
        2.3.1 di/dt递进触发控制法原理第28-29页
        2.3.2 di/dt递进触发控制法工作过程第29-33页
        2.3.3 开关功率损耗分析第33-35页
    2.4 基于PTC方法的白光LED驱动电路设计第35-42页
        2.4.1 整体电路性能与参数第35-36页
        2.4.2 整体电路设计第36-39页
        2.4.3 系统环路设计第39-41页
        2.4.4 di/dt递进触发电路设计第41-42页
    2.5 实验结果与讨论第42-51页
        2.5.1 版图设计第42-44页
        2.5.2 工艺步骤第44页
        2.5.3 测试结果与讨论第44-51页
    2.6 本章小结第51-52页
第三章 驱动电路电压自跟随控制技术第52-85页
    3.1 同步升压转换器工作原理第53-54页
    3.2 功率驱动死区控制技术第54-57页
        3.2.1 固定时间死区控制技术第55页
        3.2.2 自校准死区控制技术第55-57页
    3.3 电压自跟随控制(AVT)技术第57-65页
        3.3.1 电压自跟随控制(AVT)技术原理第57-59页
        3.3.2 电压自跟随控制电路设计及验证测试第59-65页
    3.4 基于AVT技术的驱动电路设计第65-77页
        3.4.1 整体电路性能与参数第65-68页
        3.4.2 整体电路设计第68-70页
        3.4.3 同步升压转换器设计第70-76页
        3.4.4 LED电流源分析与设计第76-77页
    3.5 实验结果与讨论第77-84页
        3.5.1 版图设计第77-78页
        3.5.2 测试结果与讨论第78-84页
    3.6 本章小结第84-85页
第四章 恒流调节失效抑制技术第85-119页
    4.1 恒流负载特性第85-87页
    4.2 模拟调光失效抑制技术第87-99页
        4.2.1 模拟调光失效原理分析第87-89页
        4.2.2 模拟调光失效抑制技术分析第89-93页
        4.2.3 模拟调光数字自校准电路设计第93-95页
        4.2.4 数字校准抑制技术测试结果与讨论第95-99页
    4.3 直接PWM调光失效抑制技术第99-111页
        4.3.1 直接PWM调光结构第100-101页
        4.3.2 双开关电流驱动技术与电路设计第101-103页
        4.3.3 双开关PWM调光测试结果与讨论第103-111页
    4.4 占空比跟随频率转换技术研究第111-118页
        4.4.1 常用频率转换技术第112-114页
        4.4.2 电荷存储频率转换技术第114-116页
        4.4.3 测试结果与讨论第116-118页
    4.5 本章小结第118-119页
第五章 全文总结与展望第119-121页
    5.1 全文总结第119-120页
    5.2 后续工作展望第120-121页
致谢第121-122页
参考文献第122-130页
攻读博士学位期间取得的成果第130-131页

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