摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第13-18页 |
1.1 研究意义和动态 | 第13页 |
1.2 失效抑制技术概述 | 第13-16页 |
1.2.1 di/dt失效抑制技术 | 第14-15页 |
1.2.2 电压自跟随控制技术 | 第15-16页 |
1.2.3 恒流调节失效抑制技术 | 第16页 |
1.3 本文主要内容和创新点 | 第16-18页 |
第二章 驱动电路di/dt递进触发控制方法 | 第18-52页 |
2.1 MOSFET功率开关工作原理 | 第18-22页 |
2.1.1 功率MOSFET发展简介 | 第18-20页 |
2.1.2 功率MOSFET工作原理 | 第20-22页 |
2.2 MOSFET di/dt控制方法 | 第22-28页 |
2.2.1 RC栅驱动di/dt控制方法 | 第22-26页 |
2.2.2 有源栅驱动di/dt控制方法 | 第26-28页 |
2.2.3 闭环驱动di/dt控制方法 | 第28页 |
2.3 MOSFET di/dt递进触发控制(PTC)方法 | 第28-35页 |
2.3.1 di/dt递进触发控制法原理 | 第28-29页 |
2.3.2 di/dt递进触发控制法工作过程 | 第29-33页 |
2.3.3 开关功率损耗分析 | 第33-35页 |
2.4 基于PTC方法的白光LED驱动电路设计 | 第35-42页 |
2.4.1 整体电路性能与参数 | 第35-36页 |
2.4.2 整体电路设计 | 第36-39页 |
2.4.3 系统环路设计 | 第39-41页 |
2.4.4 di/dt递进触发电路设计 | 第41-42页 |
2.5 实验结果与讨论 | 第42-51页 |
2.5.1 版图设计 | 第42-44页 |
2.5.2 工艺步骤 | 第44页 |
2.5.3 测试结果与讨论 | 第44-51页 |
2.6 本章小结 | 第51-52页 |
第三章 驱动电路电压自跟随控制技术 | 第52-85页 |
3.1 同步升压转换器工作原理 | 第53-54页 |
3.2 功率驱动死区控制技术 | 第54-57页 |
3.2.1 固定时间死区控制技术 | 第55页 |
3.2.2 自校准死区控制技术 | 第55-57页 |
3.3 电压自跟随控制(AVT)技术 | 第57-65页 |
3.3.1 电压自跟随控制(AVT)技术原理 | 第57-59页 |
3.3.2 电压自跟随控制电路设计及验证测试 | 第59-65页 |
3.4 基于AVT技术的驱动电路设计 | 第65-77页 |
3.4.1 整体电路性能与参数 | 第65-68页 |
3.4.2 整体电路设计 | 第68-70页 |
3.4.3 同步升压转换器设计 | 第70-76页 |
3.4.4 LED电流源分析与设计 | 第76-77页 |
3.5 实验结果与讨论 | 第77-84页 |
3.5.1 版图设计 | 第77-78页 |
3.5.2 测试结果与讨论 | 第78-84页 |
3.6 本章小结 | 第84-85页 |
第四章 恒流调节失效抑制技术 | 第85-119页 |
4.1 恒流负载特性 | 第85-87页 |
4.2 模拟调光失效抑制技术 | 第87-99页 |
4.2.1 模拟调光失效原理分析 | 第87-89页 |
4.2.2 模拟调光失效抑制技术分析 | 第89-93页 |
4.2.3 模拟调光数字自校准电路设计 | 第93-95页 |
4.2.4 数字校准抑制技术测试结果与讨论 | 第95-99页 |
4.3 直接PWM调光失效抑制技术 | 第99-111页 |
4.3.1 直接PWM调光结构 | 第100-101页 |
4.3.2 双开关电流驱动技术与电路设计 | 第101-103页 |
4.3.3 双开关PWM调光测试结果与讨论 | 第103-111页 |
4.4 占空比跟随频率转换技术研究 | 第111-118页 |
4.4.1 常用频率转换技术 | 第112-114页 |
4.4.2 电荷存储频率转换技术 | 第114-116页 |
4.4.3 测试结果与讨论 | 第116-118页 |
4.5 本章小结 | 第118-119页 |
第五章 全文总结与展望 | 第119-121页 |
5.1 全文总结 | 第119-120页 |
5.2 后续工作展望 | 第120-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
参考文献 | 第122-130页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第130-131页 |