| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管器件方面研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管理论方面研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的简介 | 第14-21页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管的基本原理 | 第15页 |
| 1.3.3 有机场效应晶体管的性能参数 | 第15-17页 |
| 1.3.4 有机场效应晶体管的材料 | 第17-20页 |
| 1.3.5 有机场效应晶体管的应用 | 第20-21页 |
| 1.4 有机场效应晶体管目前存在的主要问题 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 基于有限元方法的OFET器件模拟 | 第24-30页 |
| 2.1 有限元方法简介 | 第24-25页 |
| 2.1.1 有限元分析方法 | 第24-25页 |
| 2.1.2 二维有限元法区间离散 | 第25页 |
| 2.2 COMSOL软件简介 | 第25-26页 |
| 2.3 描述OFET器件特性的基本方程 | 第26-28页 |
| 2.3.1 泊松方程 | 第26页 |
| 2.3.2 电流连续性方程 | 第26-27页 |
| 2.3.3 电流密度方程 | 第27-28页 |
| 2.4 应用有限元方法求解OFET基本方程 | 第28页 |
| 2.5 应用有限元方法对OFET进行模拟的简单过程 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 OFET的电位分布模拟 | 第30-40页 |
| 3.1 模拟输出的电位分布过程 | 第30-31页 |
| 3.1.1 选择模块及构建模型 | 第30页 |
| 3.1.2 设置常数和表达式 | 第30-31页 |
| 3.1.3 设置求解域 | 第31页 |
| 3.1.4 设置边界条件 | 第31页 |
| 3.1.5 网络化及求解 | 第31页 |
| 3.2 改变源漏电压Vds的电位分布 | 第31-34页 |
| 3.2.1 初始状态的电位分布与分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 改变源漏电压Vds的电位分布与分析 | 第32-34页 |
| 3.3 改变绝缘层介电常数ε的电位分布 | 第34-37页 |
| 3.3.1 不同ε的电位分布模拟过程 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同ε的模拟结果与分析 | 第36-37页 |
| 3.4 改变有源层介电常数ε的电位分布 | 第37-39页 |
| 3.4.1 不同ε的电位分布模拟过程 | 第38页 |
| 3.4.2 不同ε的模拟结果与分析 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 OFET的载流子浓度分布模拟 | 第40-50页 |
| 4.1 器件输出的载流子浓度分布过程 | 第40-41页 |
| 4.1.1 选择模块及构建模型 | 第40页 |
| 4.1.2 设置常数和表达式 | 第40页 |
| 4.1.3 设置求解域 | 第40-41页 |
| 4.1.4 设置边界条件 | 第41页 |
| 4.1.5 网络化及求解 | 第41页 |
| 4.2 改变源漏电压Vds的载流子浓度分布 | 第41-44页 |
| 4.2.1 载流子浓度分布的初始状态 | 第41-42页 |
| 4.2.2 改变源漏电压的载流子浓度分布与分析 | 第42-44页 |
| 4.3 改变绝缘层厚度d的载流子浓度分布 | 第44-47页 |
| 4.3.1 不同d的载流子浓度分布模拟过程 | 第44-45页 |
| 4.3.2 不同d的模拟结果与分析 | 第45-47页 |
| 4.4 改变有源层材料迁移率μp的载流子浓度分布 | 第47-49页 |
| 4.4.1 不同μp的载流子浓度分布模拟过程 | 第47-48页 |
| 4.4.2 不同μp的模拟结果与分析 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 模拟与实验验证 | 第50-56页 |
| 5.1 改变绝缘层介电常数ε的模拟结果与实验对比 | 第50-53页 |
| 5.1.1 不同ε的OFET的制备 | 第50-51页 |
| 5.1.2 不同ε的OFET的实验结果 | 第51页 |
| 5.1.3 不同ε的OFET的模拟 | 第51-52页 |
| 5.1.4 模拟结果与实验结果对比 | 第52-53页 |
| 5.2 改变绝缘层厚度d的模拟结果与实验对比 | 第53-55页 |
| 5.2.1 不同厚度的PMMA作绝缘层的OFET的制备 | 第53页 |
| 5.2.2 不同厚度的PMMA作绝缘层的OFET的实验结果 | 第53-54页 |
| 5.2.3 不同厚度的PMMA作绝缘层的OFET的模拟 | 第54-55页 |
| 5.2.4 模拟结果与实验结果对比 | 第55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 6.2 特色与创新 | 第57页 |
| 6.3 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
