首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

氮化镓基HFET低温欧姆接触和阈值电压研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-14页
    1.1 GaN材料的优势及应用背景第10-11页
    1.2 AlGaN/GaN HFET国内外研究进展第11-12页
    1.3 AlGaN/GaN HFET所面临的问题第12页
    1.4 论文的主要研究内容第12-14页
2 工艺设备及欧姆接触相关概念介绍第14-26页
    2.1 AlGaN/GaN HFET的制作工艺设备及相关用途第14-17页
        2.1.1 半导体工艺方案及目的第14-15页
        2.1.2 工艺制作所用设备第15-17页
    2.2 AlGaN/GaN HFET的评估项目与手段第17-20页
        2.2.1 基本测试项目及目的第17页
        2.2.2 测试所用设备第17-19页
        2.2.3 TLM测试介绍第19-20页
    2.3 欧姆接触的概念及传统欧姆接触工艺第20-22页
        2.3.1 欧姆接触的概念第21页
        2.3.2 AlGaN/GaN异质结上的传统欧姆接触介绍第21-22页
    2.4 低温欧姆接触工艺介绍第22-26页
        2.4.1 ICP刻蚀技术的采用第22-23页
        2.4.2 低温欧姆接触工艺的制作过程第23-24页
        2.4.3 低温欧姆接触的结果第24-26页
3 低温欧姆接触工艺的退火条件的研究第26-39页
    3.1 低温欧姆接触退火条件研究的实验步骤第26-29页
        3.1.1 低温欧姆接触退火条件研究所使用衬底结构第26-27页
        3.1.2 实验样品制作步骤第27-29页
    3.2 低温欧姆接触退火条件研究的测试结果第29-36页
        3.2.1 退火温度对于欧姆接触特性的影响第29-31页
        3.2.2 退火时间对于欧姆接触特性的影响第31-33页
        3.2.3 低温欧姆接触的温度稳定性及高温对刻蚀后衬底的影响第33-36页
    3.3 低温欧姆接触的形貌改善第36-38页
    3.4 本章总结第38-39页
4 先栅AlGaN/GaN HFET的制作与评价第39-55页
    4.1 自对准结构与先栅结构的AlGaN/G-N HFET介绍第39-41页
        4.1.1 AlGaN/GaN HFET的串联电阻问题第39-40页
        4.1.2 自对准AlG-N/GaN HFET介绍第40-41页
        4.1.3 先栅AlG-N/GaN HFET介绍第41页
    4.2 TiN栅电极的采用第41-44页
        4.2.1 TiN材料用作栅电极的背景第41-42页
        4.2.2 TiN肖特基二极管结构的制备第42-43页
        4.2.3 TiN肖特基二极管的耐高温特性测试第43-44页
    4.3 先栅AlGaN/GaN HFET的制作工艺流程第44-49页
        4.3.1 衬底的表面清洗第44-45页
        4.3.2 台面隔离第45-46页
        4.3.3 栅电极的制作第46-47页
        4.3.4 源漏电极的制作第47-48页
        4.3.5 先栅AlGaN/GaN HFET制作流程总结第48-49页
    4.4 先栅AlGaN/G-N HFET的电学测试第49-54页
        4.4.1 欧姆接触性能测试第49-52页
        4.4.2 肖特基漏电性能测试第52-53页
        4.4.3 输出特性与转移特性测试第53-54页
    4.5 本章总结第54-55页
5 ICP刻蚀对AIGaN/GaN HFET阈值电压的影响的研究第55-66页
    5.1 AlGaN/GaN HFET的阈值电压定义及计算公式第55-57页
    5.2 刻蚀AlGaN层增强型AlGaN/GaN HFET的工艺步骤第57-58页
        5.2.1 刻蚀AlGaN改变AlGaN/GaN HFET阈值电压的原理第57页
        5.2.2 不同刻蚀时间下AlGaN/GaN HFET的制作第57-58页
    5.3 器件性能测试与分析第58-65页
        5.3.1 阈值电压的变化情况分析第58-62页
        5.3.2 刻蚀改善阈值电压对AlGaN/GaN HFET的关态漏电流的影响第62-65页
    5.4 本章总结第65-66页
结论第66-67页
参考文献第67-71页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第71-73页
致谢第73-74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:危险品检测系统中超宽带脉冲发生器的设计
下一篇:Sn晶粒扩散各向异性对微焊点电迁移行为影响