摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-14页 |
1.1 GaN材料的优势及应用背景 | 第10-11页 |
1.2 AlGaN/GaN HFET国内外研究进展 | 第11-12页 |
1.3 AlGaN/GaN HFET所面临的问题 | 第12页 |
1.4 论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
2 工艺设备及欧姆接触相关概念介绍 | 第14-26页 |
2.1 AlGaN/GaN HFET的制作工艺设备及相关用途 | 第14-17页 |
2.1.1 半导体工艺方案及目的 | 第14-15页 |
2.1.2 工艺制作所用设备 | 第15-17页 |
2.2 AlGaN/GaN HFET的评估项目与手段 | 第17-20页 |
2.2.1 基本测试项目及目的 | 第17页 |
2.2.2 测试所用设备 | 第17-19页 |
2.2.3 TLM测试介绍 | 第19-20页 |
2.3 欧姆接触的概念及传统欧姆接触工艺 | 第20-22页 |
2.3.1 欧姆接触的概念 | 第21页 |
2.3.2 AlGaN/GaN异质结上的传统欧姆接触介绍 | 第21-22页 |
2.4 低温欧姆接触工艺介绍 | 第22-26页 |
2.4.1 ICP刻蚀技术的采用 | 第22-23页 |
2.4.2 低温欧姆接触工艺的制作过程 | 第23-24页 |
2.4.3 低温欧姆接触的结果 | 第24-26页 |
3 低温欧姆接触工艺的退火条件的研究 | 第26-39页 |
3.1 低温欧姆接触退火条件研究的实验步骤 | 第26-29页 |
3.1.1 低温欧姆接触退火条件研究所使用衬底结构 | 第26-27页 |
3.1.2 实验样品制作步骤 | 第27-29页 |
3.2 低温欧姆接触退火条件研究的测试结果 | 第29-36页 |
3.2.1 退火温度对于欧姆接触特性的影响 | 第29-31页 |
3.2.2 退火时间对于欧姆接触特性的影响 | 第31-33页 |
3.2.3 低温欧姆接触的温度稳定性及高温对刻蚀后衬底的影响 | 第33-36页 |
3.3 低温欧姆接触的形貌改善 | 第36-38页 |
3.4 本章总结 | 第38-39页 |
4 先栅AlGaN/GaN HFET的制作与评价 | 第39-55页 |
4.1 自对准结构与先栅结构的AlGaN/G-N HFET介绍 | 第39-41页 |
4.1.1 AlGaN/GaN HFET的串联电阻问题 | 第39-40页 |
4.1.2 自对准AlG-N/GaN HFET介绍 | 第40-41页 |
4.1.3 先栅AlG-N/GaN HFET介绍 | 第41页 |
4.2 TiN栅电极的采用 | 第41-44页 |
4.2.1 TiN材料用作栅电极的背景 | 第41-42页 |
4.2.2 TiN肖特基二极管结构的制备 | 第42-43页 |
4.2.3 TiN肖特基二极管的耐高温特性测试 | 第43-44页 |
4.3 先栅AlGaN/GaN HFET的制作工艺流程 | 第44-49页 |
4.3.1 衬底的表面清洗 | 第44-45页 |
4.3.2 台面隔离 | 第45-46页 |
4.3.3 栅电极的制作 | 第46-47页 |
4.3.4 源漏电极的制作 | 第47-48页 |
4.3.5 先栅AlGaN/GaN HFET制作流程总结 | 第48-49页 |
4.4 先栅AlGaN/G-N HFET的电学测试 | 第49-54页 |
4.4.1 欧姆接触性能测试 | 第49-52页 |
4.4.2 肖特基漏电性能测试 | 第52-53页 |
4.4.3 输出特性与转移特性测试 | 第53-54页 |
4.5 本章总结 | 第54-55页 |
5 ICP刻蚀对AIGaN/GaN HFET阈值电压的影响的研究 | 第55-66页 |
5.1 AlGaN/GaN HFET的阈值电压定义及计算公式 | 第55-57页 |
5.2 刻蚀AlGaN层增强型AlGaN/GaN HFET的工艺步骤 | 第57-58页 |
5.2.1 刻蚀AlGaN改变AlGaN/GaN HFET阈值电压的原理 | 第57页 |
5.2.2 不同刻蚀时间下AlGaN/GaN HFET的制作 | 第57-58页 |
5.3 器件性能测试与分析 | 第58-65页 |
5.3.1 阈值电压的变化情况分析 | 第58-62页 |
5.3.2 刻蚀改善阈值电压对AlGaN/GaN HFET的关态漏电流的影响 | 第62-65页 |
5.4 本章总结 | 第65-66页 |
结论 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-73页 |
致谢 | 第73-74页 |