| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 异质结器件的ESD研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 课题研究内容及论文结构 | 第16-18页 |
| 第2章 GaN基器件模型与ESD相关理论 | 第18-29页 |
| 2.1 GaN基HEMT原理 | 第18-22页 |
| 2.1.1 GaN材料的极化效应 | 第18-19页 |
| 2.1.2 GaN基器件二维电子产生机理 | 第19-21页 |
| 2.1.3 GaN基HEMT的阈值电压 | 第21页 |
| 2.1.4 GaN基高电子迁移率晶体管的电压-电流特性 | 第21-22页 |
| 2.2 GaN基器件的仿真模型 | 第22-24页 |
| 2.3 ESD放电模型 | 第24-28页 |
| 2.3.1 人体放电模型 | 第24-25页 |
| 2.3.2 机器放电模型 | 第25-26页 |
| 2.3.3 器件充电模型 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 单向GaN基ESD防护器件研究与仿真 | 第29-38页 |
| 3.1 单向GaN基ESD防护器件的结构与原理 | 第29-31页 |
| 3.2 器件的仿真与结果讨论 | 第31-37页 |
| 3.2.1 阳极面积对器件特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 阳极与阴极间距对器件特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.3 不同AlGaN势垒层Al组分对器件导通特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 双向AlGaN/GaN ESD防护器件器件 | 第38-54页 |
| 4.1 器件结构与工作原理 | 第38-44页 |
| 4.1.1 GaN基器件的短沟道效应 | 第38-42页 |
| 4.1.2 双向AlGaN/GaN ESD防护器件的结构与原理 | 第42-44页 |
| 4.2 仿真结果与讨论 | 第44-53页 |
| 4.2.1 AlGaN/GaN HEMT常关沟道的实现 | 第44-47页 |
| 4.2.2 双向AlGaN/GaN ESD防护器件的仿真与讨论 | 第47-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |
