| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管 | 第11-20页 |
| 1.2.1 铁电薄膜概述 | 第11-16页 |
| 1.2.2 铁电场效应晶体管工作原理 | 第16-19页 |
| 1.2.3 铁电场效应晶体管的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 GaN基铁电场效应晶体管 | 第20-31页 |
| 1.3.1 GaN材料概述 | 第20-23页 |
| 1.3.2 GaN基铁电场效应晶体管生长工艺的关键技术 | 第23-28页 |
| 1.3.3 GaN基铁电场效应晶体管研究进展 | 第28-31页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作及创新点 | 第31-33页 |
| 1.4.1 本论文的目的 | 第31-32页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第32页 |
| 1.4.3 本论文的主要内容安排 | 第32-33页 |
| 第二章 GaN基MFSFET电学特性建模 | 第33-57页 |
| 2.1 半导体器件的基本方程 | 第33-34页 |
| 2.2 GaN基MFS电容特性建模 | 第34-38页 |
| 2.3 GaN基MFS电容器特性分析 | 第38-40页 |
| 2.4 铁电-GaN界面钝化层对器件性能的影响 | 第40-57页 |
| 2.4.1 界面钝化层对GaN基MFS电容性能的影响 | 第40-41页 |
| 2.4.2 含有界面钝化层的GaN基MFS电容模型 | 第41-47页 |
| 2.4.3 钝化层对GaN基MFSFET电流-电压特性的影响 | 第47-55页 |
| 2.4.4 减小钝化层影响的方法 | 第55-57页 |
| 第三章 结构及材料参数对GaN基MFSFET电学特性的影响 | 第57-72页 |
| 3.1 结构参数对GaN基MFSFET电学特性的影响 | 第57-67页 |
| 3.1.1 铁电栅厚度对GaN基MFSFET电学特性的影响 | 第57-66页 |
| 3.1.2 铁电栅长对GaN基MFSFET电学特性的影响 | 第66-67页 |
| 3.2 材料参数对GaN基MFSFET电学性能的影响 | 第67-71页 |
| 3.2.1 铁电薄膜极化强度对GaN基MFSFET电学性能的影响 | 第67-68页 |
| 3.2.2 铁电薄膜介电常数对GaN基MFSFET电学性能的影响 | 第68-69页 |
| 3.2.3 铁电薄膜矫顽电场强度对GaN基MFSFET电学性能的影响 | 第69-71页 |
| 3.3 GaN基MFSFET与GaN基MOSFET转移特性对比 | 第71-72页 |
| 第四章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 4.1 主要结论 | 第72-73页 |
| 4.2 后续工作展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 在学期间的研究成果 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
