| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 研究思想及研究内容 | 第14-15页 |
| 2 SiC MOS栅氧化层击穿机理及TDDB测试方法 | 第15-26页 |
| 2.1 SiC MOS栅氧化层击穿机理 | 第15-20页 |
| 2.1.1 栅氧化层结构及性质 | 第15-18页 |
| 2.1.2 栅氧化层击穿机理 | 第18-20页 |
| 2.2 栅氧化层TDDB测试方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 TDDB测试方法分类 | 第20-21页 |
| 2.2.2 TDDB击穿表征参数 | 第21-22页 |
| 2.2.3 栅氧化层TDDB模型 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 氮氢等离子体处理SiC MOS电容制作工艺 | 第26-34页 |
| 3.1 SiC衬底预处理 | 第26-29页 |
| 3.1.1 SiC衬底样品清洗 | 第26-27页 |
| 3.1.2 氮氢等离子体表面处理 | 第27-29页 |
| 3.2 氧化工艺 | 第29-31页 |
| 3.2.1 SiC氧化机理 | 第30页 |
| 3.2.2 SiC氧化工艺设计 | 第30-31页 |
| 3.3 氮氢等离子体退火处理工艺 | 第31-32页 |
| 3.4 电极制作工艺 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 SiC MOS栅氧化层可靠性评价及界面组成分析 | 第34-59页 |
| 4.1 栅氧化层绝缘特性评价 | 第34-40页 |
| 4.1.1 Fowler-Nordheim隧穿电流模型 | 第34-37页 |
| 4.1.2 I-V特性测试及数据分析 | 第37-40页 |
| 4.2 栅氧化层TDDB特性评价 | 第40-49页 |
| 4.2.1 威布尔分布统计方法 | 第40-41页 |
| 4.2.2 TDDB特性测试方法及数据分析 | 第41-49页 |
| 4.3 SiO_2/SiC界面电学特性评价 | 第49-57页 |
| 4.3.1 MOS电容工作特性 | 第49-52页 |
| 4.3.2 室温hi-lo法C-V测试及数据分析 | 第52-57页 |
| 4.4 SiO_2/SiC界面组成分析及可靠性改进分析 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
