| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 硅衬底GaN基HEMT的研究意义 | 第10-13页 |
| 1.2 硅衬底GaN基HEMT外延生长概述 | 第13-18页 |
| 1.3 硅衬底GaN基HEMT外延生长国内外研究进展 | 第18-23页 |
| 1.4 本论文研究内容及工作安排 | 第23-25页 |
| 2 外延生长原理及材料测试表征方法 | 第25-40页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 Ⅲ族氮化物材料MOCVD生长技术概述 | 第25-30页 |
| 2.3 硅衬底GaN基HEMT材料测试表征技术简介 | 第30-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 3 硅衬底上高质量AlN薄膜外延生长研究 | 第40-51页 |
| 3.1 硅衬底上AlN薄膜的研究意义 | 第40-41页 |
| 3.2 硅衬底上AlN薄膜外延生长研究 | 第41-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 4 基于AlGaN应力控制层的硅上GaN生长研究 | 第51-64页 |
| 4.1 硅衬底上GaN外延生长的应力调控概述 | 第51-54页 |
| 4.2 基于AlGaN应力控制层的硅上GaN外延生长 | 第54-58页 |
| 4.3 GaN/AlGaN/AlN外延层的马赛克结构测试与分析 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 5 硅衬底上GaN外延生长的翘曲控制研究 | 第64-77页 |
| 5.1 外延生长过程中的晶圆翘曲概述 | 第64-65页 |
| 5.2 硅衬底上GaN外延生长的原位曲率曲线分析 | 第65-69页 |
| 5.3 硅衬底上GaN外延生长的翘曲控制研究 | 第69-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 6 HEMT结构中高阻层外延生长研究 | 第77-92页 |
| 6.1 HEMT器件高耐压设计方法概述 | 第77-80页 |
| 6.2 硅衬底HEMT结构中高阻层外延生长研究 | 第80-90页 |
| 6.3 本章小结 | 第90-92页 |
| 7 AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT外延生长研究 | 第92-130页 |
| 7.1 AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT概述 | 第92-96页 |
| 7.2 AlGaN背势垒层HEMT外延生长研究 | 第96-104页 |
| 7.3 AlGaN/GaN异质结外延生长研究 | 第104-126页 |
| 7.4 大尺寸硅衬底GaN基HEMT外延生长及性能表征 | 第126-128页 |
| 7.5 本章小结 | 第128-130页 |
| 8 总结与展望 | 第130-133页 |
| 8.1 全文总结 | 第130-132页 |
| 8.2 未来展望 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-151页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文和专利目录 | 第151-153页 |
