| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 集成电路制造以及半导体材料简介 | 第7-10页 |
| 1.2 MOSFET 及沟槽 MOSFET 简介 | 第10-12页 |
| 1.3 沟槽 MOSFET 栅极多晶硅层空隙缺陷问题简介 | 第12-13页 |
| 1.4 改善沟槽 MOSFET 栅极多晶硅层空隙缺陷的重要性 | 第13-14页 |
| 1.5 课题内容、背景与意义 | 第14-15页 |
| 第二章 沟槽 MOSFET 栅极结构及工艺 | 第15-26页 |
| 2.1 沟槽 MOSFET 栅极结构与工艺流程简介 | 第15-16页 |
| 2.2 硅槽制作工艺简介 | 第16-19页 |
| 2.3 沟槽 MOSFET 栅氧化层工艺简介 | 第19-22页 |
| 2.4 沟槽 MOSFET 栅多晶硅层工艺简介 | 第22-26页 |
| 第三章 沟槽 MOSFET 栅极多晶硅空隙缺陷的成因分析 | 第26-32页 |
| 3.1 沟槽 MOSEFT 栅极多晶硅空隙缺陷形成的直接原因 | 第26-27页 |
| 3.2 LPCVD 多晶硅工艺对空隙缺陷的影响 | 第27-28页 |
| 3.3 沟槽剖面结构对空隙缺陷的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 栅氧工艺对空隙缺陷的影响 | 第30-32页 |
| 第四章 改善沟槽 MOSFET 栅极多晶硅空隙缺陷的工艺优化法 | 第32-41页 |
| 4.1 沟槽剖面结构的优化 | 第32-35页 |
| 4.2 栅氧层厚度均匀性的改善 | 第35-36页 |
| 4.3 LPCVD 多晶硅工艺的优化 | 第36-38页 |
| 4.4 沟槽 MOSFET 栅极工艺优化法总结 | 第38-40页 |
| 4.5 TP-O-P 工艺优化法的优点和不足 | 第40-41页 |
| 第五章 结论与意义 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
