| 作者简介 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 引言 | 第13-16页 |
| 1.2 CMOS 集成电路功耗分析 | 第16-18页 |
| 1.3 超陡峭亚阈值斜率器件 | 第18-23页 |
| 1.3.1 IMOS 器件 | 第18-20页 |
| 1.3.2 TFET 器件 | 第20-22页 |
| 1.3.3 IMOS 与 TFET 器件比较 | 第22-23页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 雪崩击穿效应和隧穿效应的物理机制 | 第25-37页 |
| 2.1 PIN 二极管的基本结构及特性 | 第25-27页 |
| 2.1.1 PIN 二极管的基本结构 | 第25-27页 |
| 2.1.2 PIN 二极管的基本特性 | 第27页 |
| 2.2 碰撞电离和雪崩击穿机制 | 第27-32页 |
| 2.2.1 碰撞电离 | 第28页 |
| 2.2.2 雪崩击穿电压 | 第28-30页 |
| 2.2.3 曲率效应对击穿电压的影响 | 第30-32页 |
| 2.3 隧穿机制 | 第32-36页 |
| 2.3.1 隧穿效应 | 第32-34页 |
| 2.3.2 隧穿几率 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 IMOS 器件性能分析与结构优化 | 第37-63页 |
| 3.1 IMOS 器件结构和工作机理 | 第37-38页 |
| 3.2 ISE_TCAD 仿真软件环境配置 | 第38-42页 |
| 3.2.1 仿真软件 ISE_ TCAD 简介 | 第38-39页 |
| 3.2.2 基础物理模型 | 第39-42页 |
| 3.3 器件参数对 IMOS 器件电学特性的影响 | 第42-48页 |
| 3.3.1 源端偏压对 IMOS 器件性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.2 栅介质对 IMOS 器件性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.3 栅长对 IMOS 器件性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 SOI IMOS 器件阈值电压准二维解析模型 | 第48-55页 |
| 3.4.1 器件结构 | 第48页 |
| 3.4.2 准二维阈值电压模型 | 第48-52页 |
| 3.4.3 分析与讨论 | 第52-55页 |
| 3.5 SOI IMOS 器件阈值电压二维解析模型 | 第55-60页 |
| 3.5.1 二维阈值电压模型 | 第55-58页 |
| 3.5.2 分析与讨论 | 第58-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-63页 |
| 第四章 TFET 器件性能分析 | 第63-89页 |
| 4.1 Silvaco_TCAD 仿真软件环境配置 | 第63-65页 |
| 4.1.1 器件结构定义 | 第63-64页 |
| 4.1.2 基础物理模型 | 第64-65页 |
| 4.2 TFET 器件结构和工作机理 | 第65-68页 |
| 4.3 SOI TFET 器件阈值电压模型 | 第68-76页 |
| 4.3.1 器件结构 | 第68页 |
| 4.3.2 二维阈值电压模型 | 第68-71页 |
| 4.3.3 分析与讨论 | 第71-76页 |
| 4.4 双栅 TFET 器件阈值电压模型 | 第76-87页 |
| 4.4.1 器件结构 | 第77页 |
| 4.4.2 二维阈值电压模型 | 第77-80页 |
| 4.4.3 分析与讨论 | 第80-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 TFET 器件性能优化 | 第89-105页 |
| 5.1 双栅 TFET 器件性能研究 | 第89-91页 |
| 5.2 硅层厚度对 TFET 器件性能的影响 | 第91-95页 |
| 5.3 栅介质对 TFET 器件性能的影响 | 第95-97页 |
| 5.4 栅长对 TFET 器件性能的影响 | 第97-100页 |
| 5.5 源、漏、本征区掺杂浓度对 TFET 器件性能的影响 | 第100-102页 |
| 5.6 漏端偏置电压对 TFET 器件性能的影响 | 第102-103页 |
| 5.7 本章小结 | 第103-105页 |
| 第六章 应变 Si IMOS 与 TFET 结构器件研究 | 第105-123页 |
| 6.1 应变 Si 的形成及物理特性 | 第105-108页 |
| 6.2 应变 Si SOI 技术的特点与优势 | 第108-110页 |
| 6.3 应变 Si SOI IMOS 器件结构和性能研究 | 第110-113页 |
| 6.3.1 应变 Si SOI IMOS 器件结构 | 第110-111页 |
| 6.3.2 应变 Si SOI IMOS 性能研究 | 第111-113页 |
| 6.4 应变 Si SOI TFET 器件结构和性能研究 | 第113-116页 |
| 6.4.1 应变 Si SOI TFET 器件结构 | 第113-114页 |
| 6.4.2 应变 Si SOI TFET 性能研究 | 第114-116页 |
| 6.5 PNIN 型 SSOI TFET 器件结构 | 第116-121页 |
| 6.5.1 PNIN 型 SSOI TFET 器件结构 | 第116页 |
| 6.5.2 PNIN 型 SSOI TFET 器件性能研究 | 第116-118页 |
| 6.5.3 PNIN 型 SSOI TFET 器件结构参数优化 | 第118-121页 |
| 6.6 本章小结 | 第121-123页 |
| 第七章 结束语 | 第123-127页 |
| 7.1 论文的主要工作和成果 | 第123-124页 |
| 7.2 对进一步研究工作的考虑 | 第124-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-149页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第149-152页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文及专利 | 第149-151页 |
| 参加的科研项目 | 第151页 |
| 奖励和荣誉 | 第151-152页 |
