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基于SiC MOSFET的Boost升压电路的研究

摘要第3-5页
abstract第5-6页
1 绪论第9-17页
    1.1 研究的背景和意义第9-12页
    1.2 SiC MOSFET及其应用的研究现状第12-14页
        1.2.1 国外研究进展第12-13页
        1.2.2 国内的研究进展第13-14页
    1.3 本文研究主要内容第14-17页
2 Boost升压电路原理第17-25页
    2.1 Boost升压电路的结构第17-18页
    2.2 Boost升压电路的工作模式第18-23页
        2.2.1 电流连续工作状态分析第18-20页
        2.2.2 电流断续工作状态分析第20-22页
        2.2.3 临界工作状态分析第22-23页
    2.3 小结第23-25页
3 Boost升压电路的设计与仿真第25-51页
    3.1 Boost升压电路主电路设计第25-30页
        3.1.1 主电路参数设计第25-29页
        3.1.2 关断缓冲电路RCD的设计第29-30页
    3.2 SiC MOSFET驱动电路的设计第30-45页
        3.2.1 SiC MOSFET特性分析第30-34页
        3.2.2 SiC MOSFET驱动电路的设计要求第34-36页
        3.2.3 SiC MOSFET驱动电路设计第36-43页
        3.2.4 驱动电路的仿真第43-45页
    3.3 Boost升压电路的仿真第45-48页
        3.3.1 Boost升压电路的暂态仿真第45-47页
        3.3.2 Boost升压电路的稳态仿真第47-48页
    3.4 带缓冲电路的Boost升压电路仿真分析第48-49页
    3.5 小结第49-51页
4 Boost升压电路实验第51-63页
    4.1 驱动电路的实验第51-52页
    4.2 Boost升压电路分析第52-62页
        4.2.1 基于SiC和Si MOSFET的Boost电路第53-57页
        4.2.2 驱动电阻对电路的影响第57-58页
        4.2.3 不同工作频率时电路性能的分析第58-61页
        4.2.4 不同负载的电路性能分析第61-62页
    4.3 小结第62-63页
5 总结与展望第63-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-69页
附录第69页
    在校期间发表的论文第69页

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