摘要 | 第3-5页 |
abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-17页 |
1.1 研究的背景和意义 | 第9-12页 |
1.2 SiC MOSFET及其应用的研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 国外研究进展 | 第12-13页 |
1.2.2 国内的研究进展 | 第13-14页 |
1.3 本文研究主要内容 | 第14-17页 |
2 Boost升压电路原理 | 第17-25页 |
2.1 Boost升压电路的结构 | 第17-18页 |
2.2 Boost升压电路的工作模式 | 第18-23页 |
2.2.1 电流连续工作状态分析 | 第18-20页 |
2.2.2 电流断续工作状态分析 | 第20-22页 |
2.2.3 临界工作状态分析 | 第22-23页 |
2.3 小结 | 第23-25页 |
3 Boost升压电路的设计与仿真 | 第25-51页 |
3.1 Boost升压电路主电路设计 | 第25-30页 |
3.1.1 主电路参数设计 | 第25-29页 |
3.1.2 关断缓冲电路RCD的设计 | 第29-30页 |
3.2 SiC MOSFET驱动电路的设计 | 第30-45页 |
3.2.1 SiC MOSFET特性分析 | 第30-34页 |
3.2.2 SiC MOSFET驱动电路的设计要求 | 第34-36页 |
3.2.3 SiC MOSFET驱动电路设计 | 第36-43页 |
3.2.4 驱动电路的仿真 | 第43-45页 |
3.3 Boost升压电路的仿真 | 第45-48页 |
3.3.1 Boost升压电路的暂态仿真 | 第45-47页 |
3.3.2 Boost升压电路的稳态仿真 | 第47-48页 |
3.4 带缓冲电路的Boost升压电路仿真分析 | 第48-49页 |
3.5 小结 | 第49-51页 |
4 Boost升压电路实验 | 第51-63页 |
4.1 驱动电路的实验 | 第51-52页 |
4.2 Boost升压电路分析 | 第52-62页 |
4.2.1 基于SiC和Si MOSFET的Boost电路 | 第53-57页 |
4.2.2 驱动电阻对电路的影响 | 第57-58页 |
4.2.3 不同工作频率时电路性能的分析 | 第58-61页 |
4.2.4 不同负载的电路性能分析 | 第61-62页 |
4.3 小结 | 第62-63页 |
5 总结与展望 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
附录 | 第69页 |
在校期间发表的论文 | 第69页 |