高压低导通电阻SOI器件模型与新结构
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 高压 SOI 技术概述 | 第12-14页 |
| 1.2 高压 SOI 横向器件概况 | 第14-23页 |
| 1.2.1 高压 SOI 横向器件结构 | 第14-20页 |
| 1.2.2 低导通电阻 SOI 横向器件 | 第20-23页 |
| 1.3 本论文的主要工作与创新 | 第23-26页 |
| 第二章 高压 SOI 器件势阱模型与新结构 | 第26-54页 |
| 2.1 引言 | 第26-29页 |
| 2.1.1 高压 SOI 器件介质场增强理论 | 第26-27页 |
| 2.1.2 低介电层高压 SOI 器件 | 第27-29页 |
| 2.2 高压 SOI 器件势阱模型 | 第29-36页 |
| 2.2.1 势阱模型的建立 | 第29-33页 |
| 2.2.2 积累空穴对电场的影响 | 第33-36页 |
| 2.3 复合介电层高压 SOI 器件新结构 | 第36-44页 |
| 2.3.1 器件结构与机理 | 第36-38页 |
| 2.3.2 结果分析 | 第38-44页 |
| 2.4 变介电层高压 SOI 器件新结构 | 第44-48页 |
| 2.4.1 器件结构与机理 | 第44-45页 |
| 2.4.2 耐压及温度特性分析 | 第45-48页 |
| 2.5 低介电薄膜实验探索 | 第48-52页 |
| 2.6 小结 | 第52-54页 |
| 第三章 低导通电阻槽型高压器件 | 第54-87页 |
| 3.1 引言 | 第54-56页 |
| 3.2 双纵向场板槽型高压 SOI 器件新结构 | 第56-70页 |
| 3.2.1 介质槽和纵向场板终端工作机理 | 第57-61页 |
| 3.2.2 器件结构 | 第61-62页 |
| 3.2.3 结构参数对击穿电压的影响 | 第62-66页 |
| 3.2.4 结构参数对导通电阻的影响 | 第66-70页 |
| 3.3 埋 p 岛槽型高压 SOI 器件新结构 | 第70-77页 |
| 3.3.1 器件结构与机理 | 第70-71页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第71-77页 |
| 3.4 双沟道槽型高压器件新结构 | 第77-86页 |
| 3.4.1 器件结构与机理 | 第77-78页 |
| 3.4.2 导通特性分析 | 第78-81页 |
| 3.4.3 耐压特性分析及结构参数优化 | 第81-86页 |
| 3.5 小结 | 第86-87页 |
| 第四章 延伸栅槽型高压 SOI 器件 | 第87-102页 |
| 4.1 延伸栅槽型高压 SOI 器件新结构 | 第87-95页 |
| 4.1.1 器件结构与机理 | 第87-88页 |
| 4.1.2 耐压特性分析 | 第88-92页 |
| 4.1.3 导通特性分析及结构参数优化 | 第92-95页 |
| 4.2 延伸栅槽型高压 SOI 器件的研制 | 第95-100页 |
| 4.2.1 工艺与版图设计 | 第95-99页 |
| 4.2.2 实验结果分析 | 第99-100页 |
| 4.3 小结 | 第100-102页 |
| 第五章 结论与展望 | 第102-105页 |
| 5.1 结论 | 第102-104页 |
| 5.2 下一步工作 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第115-117页 |
