| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的发展与现状 | 第11-12页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的基本结构和工作原理 | 第12-15页 |
| 1.3.1 OFET的基本结构 | 第12-14页 |
| 1.3.2 OFET的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.4 有机场效应晶体管存在的问题 | 第15-17页 |
| 1.4.1 OFET存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.4.2 OFET在生物应用中面临的问题 | 第17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的制备与测试 | 第19-33页 |
| 2.1 有机场效应晶体管材料的选择 | 第19-22页 |
| 2.1.1 绝缘层材料 | 第19-20页 |
| 2.1.2 有机半导体材料 | 第20-21页 |
| 2.1.3 电极材料 | 第21-22页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的制备 | 第22-26页 |
| 2.2.1 基片的准备 | 第22-23页 |
| 2.2.1.1 ITO玻璃基片的准备 | 第22-23页 |
| 2.2.1.2 SF柔性基片的制备 | 第23页 |
| 2.2.2 绝缘层的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 有源层的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.4 金属电极的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的性能表征 | 第26-31页 |
| 2.3.1 OFET的输出特性和转移特性曲线 | 第26-27页 |
| 2.3.2 OFET的主要性能参数 | 第27-31页 |
| 2.3.2.1 载流子迁移率 μ | 第27-28页 |
| 2.3.2.2 阈值电压VT | 第28页 |
| 2.3.2.3 电流开关比Ion/Ioff | 第28-29页 |
| 2.3.2.4 亚阈值斜率S | 第29页 |
| 2.3.2.5 接触电阻RCW | 第29-30页 |
| 2.3.2.6 电荷陷阱密度NSS | 第30-31页 |
| 2.4 器件的测试 | 第31-32页 |
| 2.4.1 器件基本参数的测试 | 第31-32页 |
| 2.4.2 器件光敏特性的测试 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 PMMA/SF双层绝缘层对有机场效应晶体管性能的影响 | 第33-43页 |
| 3.1 研究背景 | 第33-34页 |
| 3.2 器件设计与制备 | 第34-35页 |
| 3.3 PMMA/SF双层绝缘层对器件性能的影响 | 第35-42页 |
| 3.3.1 SF绝缘层对器件性能的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.2 SF对并五苯薄膜生长的影响 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 PMMA/SF双层绝缘层有机场效应晶体管的紫外光敏研究 | 第43-51页 |
| 4.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 4.2 器件的设计和测试 | 第44-45页 |
| 4.3 器件紫外光敏感特性 | 第45-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 可降解丝素蛋白衬底的柔性有机场效应晶体管 | 第51-61页 |
| 5.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 5.2 器件的设计与制备 | 第52-53页 |
| 5.3 器件弯曲特性实验 | 第53-59页 |
| 5.3.1 不同应力的弯曲对器件性能的影响 | 第53-55页 |
| 5.3.2 不同弯曲条件对器件性能的影响 | 第55-59页 |
| 5.4 衬底的降解实验 | 第59-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 全文总结 | 第61-62页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |