| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 电子器件可靠性研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本课题研究的意义 | 第12-13页 |
| 1.4 课题来源及主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 振动实验设计 | 第14-20页 |
| 2.1 功率 VDMOS 器件简介 | 第14-15页 |
| 2.1.1 功率 VDMOS 器件的结构特点 | 第14-15页 |
| 2.1.2 功率 VDMOS 器件主要技术特点 | 第15页 |
| 2.2 试验方案 | 第15-18页 |
| 2.2.1 试验样品 | 第15-16页 |
| 2.2.2 测试仪器 | 第16页 |
| 2.2.3 振动试验装置 | 第16-17页 |
| 2.2.4 微观结构观察装置 | 第17页 |
| 2.2.5 变频振动试验 | 第17页 |
| 2.2.6 定频振动试验 | 第17-18页 |
| 2.3 芯片的提取 | 第18-19页 |
| 2.3.1 芯片提取的方法 | 第18页 |
| 2.3.2 试验步骤 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 振动环境对器件电特性的影响 | 第20-36页 |
| 3.1 变频振动对器件 VDS-ID特性的影响 | 第20-25页 |
| 3.1.1 变频振动对 JCS830 器件 VDS-ID特性的影响 | 第20-22页 |
| 3.1.2 变频振动对 JCS740 器件 VDS-ID特性的影响 | 第22-23页 |
| 3.1.3 变频振动对 IRF730 器件 VDS-ID特性的影响 | 第23-24页 |
| 3.1.4 变频振动对三种型号 VDMOS 的 VDS-ID特性的影响 | 第24-25页 |
| 3.2 定频振动对器件 VDS-ID特性的影响 | 第25-35页 |
| 3.2.1 定频振动对 JCS830 器件 VDS-ID特性的影响 | 第25-28页 |
| 3.2.2 定频振动对 JCS740 器件 VDS-ID特性的影响 | 第28-31页 |
| 3.2.3 定频振动对 IRF730 器件 VDS-ID特性的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.4 定频振动对三种型号 VDMOS 的 VDS-ID特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 振动环境对器件外壳与芯片的影响 | 第36-43页 |
| 4.1 振动对器件外壳的影响 | 第36-38页 |
| 4.1.1 变频振动对器件外壳的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.2 定频振动对器件外壳的影响 | 第37-38页 |
| 4.1.3 器件外壳损坏机理 | 第38页 |
| 4.2 振动对芯片开裂现象的影响 | 第38-42页 |
| 4.2.1 变频振动对芯片开裂的影响 | 第38-40页 |
| 4.2.2 定频振动对芯片开裂的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.3 芯片开裂机理 | 第41-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 振动模式下器件可靠性模拟仿真 | 第43-51页 |
| 5.1 有限元方法及 ANSYS 软件简介 | 第43页 |
| 5.1.1 有限元分析简介 | 第43页 |
| 5.1.2 ANSYS 10.0 主要功能介绍 | 第43页 |
| 5.2 ANSYS 有限元分析的基本步骤 | 第43-44页 |
| 5.3 器件模型建模 | 第44-48页 |
| 5.4 振动环境模拟 | 第48-50页 |
| 5.4.1 模拟条件 | 第48页 |
| 5.4.2 加载及求解 | 第48页 |
| 5.4.3 结果分析 | 第48-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
