| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-42页 |
| 1.1 有机小分子微纳晶体概述 | 第14-15页 |
| 1.2 精确定位有机小分子微纳晶体的方法 | 第15-32页 |
| 1.2.1 模板辅助自组装 | 第15-22页 |
| 1.2.2 电场引导自组装 | 第22-24页 |
| 1.2.3 喷墨打印 | 第24-26页 |
| 1.2.4 转移印刷 | 第26-27页 |
| 1.2.5 模板诱导印刷 | 第27-28页 |
| 1.2.6 物理气相沉积 | 第28-32页 |
| 1.3 有机小分子微纳晶体的器件应用 | 第32-35页 |
| 1.3.1 光电探测器 | 第32-34页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管 | 第34-35页 |
| 1.4 课题的意义与主要内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-42页 |
| 第二章 光刻胶模板辅助提拉法精确定位TIPS-PEN单晶微米线阵列的制备及其在有机场效应晶体管的应用 | 第42-58页 |
| 2.1 引言 | 第42-43页 |
| 2.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第43页 |
| 2.2.2 基底的清洗和光刻胶模板的制备 | 第43页 |
| 2.2.3 精确定位生长TIPS-PEN微米线阵列的过程 | 第43-44页 |
| 2.2.4 单晶微米线阵列的各项表征技术 | 第44页 |
| 2.2.5 基于TIPS-PEN微米线阵列的OFET制备和测试 | 第44-45页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 2.3.1 TIPS-PEN微米线阵列的形貌和晶体质量表征 | 第45-47页 |
| 2.3.2 微米线阵列的生长控制和机理 | 第47-51页 |
| 2.3.3 光刻辅助提拉法在复杂图案和其他材料的应用 | 第51-53页 |
| 2.3.4 基于单晶TIPS-PEN微米线阵列的OFET应用 | 第53-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 光刻胶模板辅助精确定位有机单晶p-n结微米线阵列的制备及其在双极性场效应晶体管和反相器的应用 | 第58-72页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第59页 |
| 3.2.2 基底的清洗和光刻胶模板的制备 | 第59页 |
| 3.2.3 精确定位生长p-n结微米线阵列的过程 | 第59-60页 |
| 3.2.4 单晶p-n结微米线阵列的各项表征 | 第60页 |
| 3.2.5 双极性OFET和反相器的制备和测试 | 第60-61页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第61-69页 |
| 3.3.1 p-n结微米线阵列的形貌和晶体质量表征 | 第61-65页 |
| 3.3.2 微米线阵列的生长机理解释 | 第65-66页 |
| 3.3.3 双极性OFET和反相器的器件性能 | 第66-68页 |
| 3.3.4 柔性器件的制备和应用 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第四章 不浸润光刻胶的疏水绝缘层表面制备空气稳定的高集成度有机场效应晶体管 | 第72-88页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 实验部分 | 第73-75页 |
| 4.2.1 基底的清洗 | 第73页 |
| 4.2.2 绝缘层的制备 | 第73-74页 |
| 4.2.3 单晶DCP微米线的制备和表征 | 第74页 |
| 4.2.4 器件的制备和测试 | 第74-75页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第75-84页 |
| 4.3.1 金属辅助光刻法的工艺流程 | 第75-76页 |
| 4.3.2 工艺的实际应用 | 第76-79页 |
| 4.3.3 空气稳定的高集成度器件的制备和测试 | 第79-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
