| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第18-40页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 HEMT器件的工作原理及应用前景 | 第19-23页 |
| 1.3 HEMT器件的发展过程 | 第23-24页 |
| 1.4 射频微波器件建模意义 | 第24-27页 |
| 1.5 射频微波器件计算机辅助设计 | 第27-30页 |
| 1.6 本文的目标和研究内容 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-40页 |
| 第二章 基于反向截止条件的HEMT器件小信号研究 | 第40-79页 |
| 2.1 HEMT器件小信号模型综述 | 第40-41页 |
| 2.2 多偏置条件提取小信号模型参数方法 | 第41-54页 |
| 2.2.1 去嵌技术研究 | 第41-44页 |
| 2.2.2 多偏置条件提取寄生参数方法 | 第44-48页 |
| 2.2.3 本征参数值提取 | 第48-50页 |
| 2.2.4 建模结果与讨论 | 第50-54页 |
| 2.3 HEMT器件可缩放小信号模型研究 | 第54-59页 |
| 2.3.1 本征元件值与栅极宽度的关系 | 第54-56页 |
| 2.3.2 基于栅极宽度比例提取寄生电容 | 第56-58页 |
| 2.3.3 基于栅极宽度比例提取寄生电阻 | 第58-59页 |
| 2.4 半分析提取小信号模型参数方法 | 第59-73页 |
| 2.4.1 AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路模型 | 第59-60页 |
| 2.4.2 半分析法提取模型参数过程 | 第60-65页 |
| 2.4.3 本征元件的灵敏度分析与结果讨论 | 第65-73页 |
| 2.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第三章 HEMT器件漏极-源极输出电流特性表征技术研究 | 第79-110页 |
| 3.1 HEMT器件大信号模型综述 | 第79-82页 |
| 3.2 偏置相关STATZ直流模型研究 | 第82-88页 |
| 3.2.1 基于多项式函数的STATZ直流模型 | 第82-85页 |
| 3.2.2 基于指数函数的STATZ直流模型 | 第85-88页 |
| 3.3 多阶CURTICE大信号模型研究 | 第88-95页 |
| 3.3.1 多阶CURTICE模型参数提取技术 | 第88-90页 |
| 3.3.2 参数提取结果与讨论 | 第90-95页 |
| 3.4 EEHEMT非线性模型研究 | 第95-104页 |
| 3.4.1 EEHEMT模型参数提取过程 | 第95-100页 |
| 3.4.2 EEHEMT建模结果讨论 | 第100-103页 |
| 3.4.3 常用大信号直流模型精度对比 | 第103-104页 |
| 3.5 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-110页 |
| 第四章 栅极-漏极距离对HEMT器件高频噪声特性影响研究 | 第110-143页 |
| 4.1 HEMT器件噪声模型综述 | 第110-112页 |
| 4.2 噪声参数提取与建模技术 | 第112-119页 |
| 4.2.1 基于50Ω系统的噪声参数提取方法 | 第112-117页 |
| 4.2.2 PUCEL噪声模型参数计算 | 第117-119页 |
| 4.3 HEMT器件物理尺寸对噪声特性的影响 | 第119-129页 |
| 4.3.1 噪声模型理论分析 | 第119-121页 |
| 4.3.2 高频噪声参数提取 | 第121-124页 |
| 4.3.3 栅极-漏极距离对本征参数及噪声参数的影响 | 第124-129页 |
| 4.4 低噪声放大器设计 | 第129-132页 |
| 4.5 HEMT器件测量与校准 | 第132-137页 |
| 4.5.1 S参数测试环境 | 第132-134页 |
| 4.5.2 SOLT校准技术 | 第134-137页 |
| 4.6 本章小结 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-143页 |
| 第五章 总结与展望 | 第143-146页 |
| 5.1 本文的研究工作总结 | 第143-144页 |
| 5.2 工作展望 | 第144-146页 |
| 英文名词缩写 | 第146-149页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第149-152页 |
| 致谢 | 第152页 |
