| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题的背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 隧穿场效应晶体管的国内外研究历史与现状 | 第13-17页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 隧穿场效应晶体管原理 | 第19-28页 |
| 2.1 典型隧穿场效应晶体管的基本结构 | 第19页 |
| 2.2 隧穿场效应晶体管的运行机制 | 第19-20页 |
| 2.3 隧穿场效应晶体管的电学特性 | 第20-22页 |
| 2.4 隧穿场效应晶体管的优化 | 第22-27页 |
| 2.4.1 纵向隧穿场效应晶体管 | 第22-23页 |
| 2.4.2 隧穿场效应晶体管的其他优化方式 | 第23-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 一种基于应变的压电极化效应隧穿场效应晶体管 | 第28-37页 |
| 3.1 应变与压电极化效应的基本原理 | 第28-30页 |
| 3.1.1 应变的基本概念 | 第28页 |
| 3.1.2 压电极化效应的基本原理 | 第28-30页 |
| 3.2 基于全局应变技术的压电极化效应 | 第30-33页 |
| 3.2.1 全局应变与压电极化效应的关系 | 第30页 |
| 3.2.2 基于压电材料的全局应变技术 | 第30-33页 |
| 3.3 基于压电极化效应的隧穿场效应晶体管 | 第33-36页 |
| 3.3.1 器件结构 | 第33页 |
| 3.3.2 应变对压电极化效应的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 应力对迁移率的影响 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于压电极化效应TFET增强效果的仿真与分析 | 第37-48页 |
| 4.1 仿真的模型选用 | 第37-38页 |
| 4.2 仿真的器件参数设置 | 第38页 |
| 4.3 极化电荷的引入对TFET电学特性的影响 | 第38-42页 |
| 4.4 基于压电极化效应隧穿场效应晶体管的工艺误差分析 | 第42-46页 |
| 4.5 目前存在的一些问题 | 第46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 应力调控对压电极化TFET的影响 | 第48-59页 |
| 5.1 应力大小对压电极化TFET的影响 | 第48-50页 |
| 5.2 压电极化TFET的应力引入方式研究 | 第50-51页 |
| 5.3 一种增强应力效果的优化方式 | 第51-57页 |
| 5.3.1 应力场的调制效果 | 第52-53页 |
| 5.3.2 电场调制效果 | 第53-55页 |
| 5.3.3 包含SiO_2介质块的压电极化TFET的制作方式 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 6.1 论文的主要工作与成果 | 第59-60页 |
| 6.2 论文创新性工作 | 第60页 |
| 6.3 工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
