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微波毫米波GaN HEMT大信号模型研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-31页
    1.1 研究工作的背景与意义第13-15页
    1.2 GAN HEMT国内外研究现状第15-29页
        1.2.1 器件方面第15-23页
        1.2.2 模型方面第23-29页
    1.3 本论文的研究内容和结构安排第29-31页
第二章 GAN HEMT基本理论及模型概述第31-54页
    2.1 引言第31页
    2.2 GAN材料特性第31-34页
    2.3 GAN HEMT工作原理第34-40页
        2.3.1 器件结构第34-35页
        2.3.2 工作原理第35-40页
    2.4 GAN HEMT色散特性第40-46页
        2.4.1 自热效应第41-42页
        2.4.2 陷阱效应第42-46页
    2.5 GAN HEMT模型基础第46-53页
        2.5.1 模型分类及建模方法第46-51页
        2.5.2 模型准确性第51-53页
    2.6 本章小结第53-54页
第三章 微波毫米波GAN HEMT小信号模型研究第54-74页
    3.1 引言第54页
    3.2 改进的小信号等效电路模型拓扑第54-55页
    3.3 参数提取第55-68页
        3.3.1 小信号测量与去嵌第57-59页
        3.3.2 寄生参数提取第59-63页
        3.3.3 本征参数提取第63-67页
        3.3.4 模型优化第67-68页
    3.4 模型验证第68-73页
        3.4.1 提取的初值验证第68-71页
        3.4.2 优化后验证第71-73页
    3.5 本章小结第73-74页
第四章 微波毫米波GAN HEMT大信号模型研究第74-111页
    4.1 引言第74页
    4.2 GAN HEMT热传递理论第74-78页
    4.3 基于非线性热子电路的GAN HEMT大信号模型研究第78-89页
        4.3.1 模型拓扑及建模流程第78-80页
        4.3.2 改进的漏源电流Ids模型第80-81页
        4.3.3 自热效应研究第81-84页
        4.3.4 陷阱效应研究第84-88页
        4.3.5 改进的非线性栅电容模型第88-89页
        4.3.6 非线性栅电流模型第89页
    4.4 大信号模型分析与验证第89-98页
        4.4.1 模型在仿真软件的嵌入第90-91页
        4.4.2 毫米波GaN HEMT大信号模型分析与验证第91-93页
        4.4.3 微波场板GaN HEMT大信号模型分析与验证第93-98页
    4.5 高低温GAN HEMT电热大信号模型研究第98-108页
        4.5.1 高低温GaN HEMT大信号模型拓扑及建模流程第98-100页
        4.5.2 温度依赖的非线性漏源电流Ids模型第100-102页
        4.5.3 高低温热仿真分析第102-106页
        4.5.4 非线性栅电容模型第106-108页
    4.6 高低温GAN HEMT电热大信号模型验证第108-110页
        4.6.1 大信号模型的小信号验证第108页
        4.6.2 大信号特性验证第108-110页
    4.7 本章小结第110-111页
第五章 GAN HEMT大信号缩放模型研究第111-133页
    5.1 引言第111页
    5.2 缩放模型的建模方法第111-114页
    5.3 基于GAN HEMT器件尺寸的热子电路第114-115页
    5.4 大信号模型缩放规则第115-118页
    5.5 大信号缩放模型的在片测试验证第118-127页
        5.5.1 直流特性验证第119-121页
        5.5.2 小信号特性验证第121-122页
        5.5.3 大信号负载牵引结果验证第122-127页
    5.6 大信号缩放模型在功放电路中验证第127-132页
    5.7 本章小结第132-133页
第六章 全文总结与展望第133-136页
致谢第136-137页
参考文献第137-150页
攻读博士学位期间取得的成果第150-152页

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