摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-31页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第13-15页 |
1.2 GAN HEMT国内外研究现状 | 第15-29页 |
1.2.1 器件方面 | 第15-23页 |
1.2.2 模型方面 | 第23-29页 |
1.3 本论文的研究内容和结构安排 | 第29-31页 |
第二章 GAN HEMT基本理论及模型概述 | 第31-54页 |
2.1 引言 | 第31页 |
2.2 GAN材料特性 | 第31-34页 |
2.3 GAN HEMT工作原理 | 第34-40页 |
2.3.1 器件结构 | 第34-35页 |
2.3.2 工作原理 | 第35-40页 |
2.4 GAN HEMT色散特性 | 第40-46页 |
2.4.1 自热效应 | 第41-42页 |
2.4.2 陷阱效应 | 第42-46页 |
2.5 GAN HEMT模型基础 | 第46-53页 |
2.5.1 模型分类及建模方法 | 第46-51页 |
2.5.2 模型准确性 | 第51-53页 |
2.6 本章小结 | 第53-54页 |
第三章 微波毫米波GAN HEMT小信号模型研究 | 第54-74页 |
3.1 引言 | 第54页 |
3.2 改进的小信号等效电路模型拓扑 | 第54-55页 |
3.3 参数提取 | 第55-68页 |
3.3.1 小信号测量与去嵌 | 第57-59页 |
3.3.2 寄生参数提取 | 第59-63页 |
3.3.3 本征参数提取 | 第63-67页 |
3.3.4 模型优化 | 第67-68页 |
3.4 模型验证 | 第68-73页 |
3.4.1 提取的初值验证 | 第68-71页 |
3.4.2 优化后验证 | 第71-73页 |
3.5 本章小结 | 第73-74页 |
第四章 微波毫米波GAN HEMT大信号模型研究 | 第74-111页 |
4.1 引言 | 第74页 |
4.2 GAN HEMT热传递理论 | 第74-78页 |
4.3 基于非线性热子电路的GAN HEMT大信号模型研究 | 第78-89页 |
4.3.1 模型拓扑及建模流程 | 第78-80页 |
4.3.2 改进的漏源电流Ids模型 | 第80-81页 |
4.3.3 自热效应研究 | 第81-84页 |
4.3.4 陷阱效应研究 | 第84-88页 |
4.3.5 改进的非线性栅电容模型 | 第88-89页 |
4.3.6 非线性栅电流模型 | 第89页 |
4.4 大信号模型分析与验证 | 第89-98页 |
4.4.1 模型在仿真软件的嵌入 | 第90-91页 |
4.4.2 毫米波GaN HEMT大信号模型分析与验证 | 第91-93页 |
4.4.3 微波场板GaN HEMT大信号模型分析与验证 | 第93-98页 |
4.5 高低温GAN HEMT电热大信号模型研究 | 第98-108页 |
4.5.1 高低温GaN HEMT大信号模型拓扑及建模流程 | 第98-100页 |
4.5.2 温度依赖的非线性漏源电流Ids模型 | 第100-102页 |
4.5.3 高低温热仿真分析 | 第102-106页 |
4.5.4 非线性栅电容模型 | 第106-108页 |
4.6 高低温GAN HEMT电热大信号模型验证 | 第108-110页 |
4.6.1 大信号模型的小信号验证 | 第108页 |
4.6.2 大信号特性验证 | 第108-110页 |
4.7 本章小结 | 第110-111页 |
第五章 GAN HEMT大信号缩放模型研究 | 第111-133页 |
5.1 引言 | 第111页 |
5.2 缩放模型的建模方法 | 第111-114页 |
5.3 基于GAN HEMT器件尺寸的热子电路 | 第114-115页 |
5.4 大信号模型缩放规则 | 第115-118页 |
5.5 大信号缩放模型的在片测试验证 | 第118-127页 |
5.5.1 直流特性验证 | 第119-121页 |
5.5.2 小信号特性验证 | 第121-122页 |
5.5.3 大信号负载牵引结果验证 | 第122-127页 |
5.6 大信号缩放模型在功放电路中验证 | 第127-132页 |
5.7 本章小结 | 第132-133页 |
第六章 全文总结与展望 | 第133-136页 |
致谢 | 第136-137页 |
参考文献 | 第137-150页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第150-152页 |