基于65纳米工艺的MOS器件和环形振荡器电路的应力退化特性

目录	第3-4页
摘要	第4-5页
Abstract	第5页
第一章 引言	第7-12页
1.1 研究的背景与意义	第7-9页
1.2 以环形振荡器为核心的电路可靠性研究现状	第9-11页
1.3 论文的主要内容与安排	第11-12页
第二章 MOSFETs的可靠性电学测试方法	第12-22页
2.1 静态电流电压方法	第12-16页
2.2 电荷泵浦方法	第16-19页
2.3 其它测试方法	第19-21页
2.4 本章小结	第21-22页
第三章 基于环形振荡器电路的应力退化模型	第22-34页
3.1 反相器延迟模型	第22-24页
3.2 环形振荡器的静态应力退化模型	第24-29页
3.3 环形振荡器的动态应力退化模型	第29-33页
3.4 本章小结	第33-34页
第四章 环形振荡器电路的设计、仿真和测试	第34-48页
4.1 环形振荡器电路的设计	第34-37页
4.2 环形振荡器电路的仿真	第37-40页
4.3 测试结果与模型的比较	第40-47页
4.4 本章小结	第47-48页
第五章 用于可靠性测试的环形振荡器电路的改进	第48-64页
5.1 改进电路一	第48-54页
5.2 改进电路二	第54-63页
5.3 本章小结	第63-64页
第六章 总结和展望	第64-66页
参考文献	第66-71页
攻读硕士学位期间发表论文和申请专利的情况	第71-72页
致谢	第72-73页