| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第13-18页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构和基本性质 | 第13-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.1.3 各种制备方法的对比 | 第17-18页 |
| 1.2 石墨烯场效应晶体管(GFET)的结构和原理 | 第18-20页 |
| 1.2.1 GFET的结构 | 第18-19页 |
| 1.2.2 GFET的工作原理 | 第19-20页 |
| 1.3 GFET的应用和研究现状 | 第20-26页 |
| 1.3.1 GFET的应用概述 | 第20-21页 |
| 1.3.2 射频(RF)GFET | 第21-22页 |
| 1.3.3 GFET集成电路 | 第22-23页 |
| 1.3.4 基于GFET的新型器件 | 第23-24页 |
| 1.3.5 GFET电学特性的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的选题思路及主要的研究内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 底栅GFET的制备及电学测试 | 第33-55页 |
| 2.1 石墨烯样品的表征 | 第33-34页 |
| 2.1.1 拉曼表征石墨烯的原理 | 第33-34页 |
| 2.1.2 本实验所用样品的拉曼表征结果 | 第34页 |
| 2.2 紫外光刻的原理和工艺优化 | 第34-40页 |
| 2.2.1 紫外光刻的原理 | 第34-36页 |
| 2.2.2 光刻胶介绍和光刻工艺优化 | 第36-40页 |
| 2.3 金属-石墨烯欧姆接触 | 第40-45页 |
| 2.3.1 金属-石墨烯欧姆接触的测试方法 | 第40-41页 |
| 2.3.2 金属-石墨烯欧姆接触的样品制备 | 第41-42页 |
| 2.3.3 金属-石墨烯欧姆接触的实验结果 | 第42-45页 |
| 2.4 底栅GFET的制备流程和性能测试 | 第45-51页 |
| 2.4.1 底栅GFET的工艺流程 | 第45-46页 |
| 2.4.2 测试设备和测试条件 | 第46-48页 |
| 2.4.3 GFET电学参数的计算 | 第48-50页 |
| 2.4.4 GFET的电学测试及结果分析 | 第50-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 热蒸发SiO作介质层的顶栅GFET的制备及电学测试 | 第55-75页 |
| 3.1 热蒸发SiO对GFET性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.2 SiO薄膜的电学性质 | 第58-59页 |
| 3.3 顶栅GFET的制备流程和性能测试 | 第59-63页 |
| 3.3.1 顶栅GFET的制备流程 | 第59-61页 |
| 3.3.2 顶栅GFET的测试与结果分析 | 第61-63页 |
| 3.4 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件 | 第63-72页 |
| 3.4.1 湿法刻蚀SiO | 第63-64页 |
| 3.4.2 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件的工艺流程 | 第64-66页 |
| 3.4.3 SiO同时作为牺牲层和介质层的器件的电学测试 | 第66-69页 |
| 3.4.4 SiO同时作为牺牲层和介质层造成的问题及解决办法 | 第69-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第75页 |
| 4.2 本论文的主要创新点 | 第75页 |
| 4.3 展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第79-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |
