| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-16页 |
| 1.1 课题的背景 | 第8-11页 |
| 1.1.1 半导体工艺技术的发展现状 | 第8-9页 |
| 1.1.2 MOSFET模型与栅极隧穿效应简述 | 第9-11页 |
| 1.2 课题的研究目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 紧凑模型的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 栅极隧穿电流效应的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 课题的研究内容及论文的主体结构 | 第14-16页 |
| 1.4.1 研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 1.4.2 论文主体结构 | 第15-16页 |
| 第2章 MOSFET紧凑模型及PSP模型 | 第16-22页 |
| 2.1 MOSFET紧凑模型 | 第16-17页 |
| 2.2 阈值电压模型 | 第17-18页 |
| 2.3 基于反型层电荷模型 | 第18-19页 |
| 2.4 表面势模型 | 第19-20页 |
| 2.5 PSP模型 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 表面势方程与栅极电流方程 | 第22-35页 |
| 3.1 表面势方程 | 第22-27页 |
| 3.1.1 MOS垂直表面方向的电场 | 第22-24页 |
| 3.1.2 表面势的隐函数 | 第24-27页 |
| 3.2 对称线性化方法 | 第27-30页 |
| 3.3 基于表面势的栅极隧穿电流方程 | 第30-34页 |
| 3.3.1 载流子隧穿效应 | 第30-31页 |
| 3.3.2 基于表面势的栅极隧穿电流方程 | 第31-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 电流连续性方程的级数解 | 第35-40页 |
| 4.1 级数解的提出 | 第35-36页 |
| 4.1.1 PSP模型对栅极隧穿电流的恒定近似 | 第35-36页 |
| 4.1.2 恒定近似下沟道电流的非自洽性 | 第36页 |
| 4.2 级数解的推导 | 第36-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 模型的仿真与TCAD模拟验证 | 第40-51页 |
| 5.1 半导体工艺与器件模拟工具SILVACO TCAD | 第40-41页 |
| 5.2 仿真与验证 | 第41-50页 |
| 5.2.1 表面势模型的仿真 | 第42-44页 |
| 5.2.2 栅极隧穿电流的模拟仿真 | 第44-45页 |
| 5.2.3 系数比的仿真及偏置范围的验证 | 第45-50页 |
| 5.3 本章总结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第58页 |