| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 横向高压功率器件耐压技术的发展 | 第13-19页 |
| 1.1.1 RESURF 技术的发展 | 第13-17页 |
| 1.1.2 横向高压功率器件耐压模型研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2 槽型高压器件耐压技术的发展 | 第19-22页 |
| 1.3 本文的主要工作和创新 | 第22-26页 |
| 第二章 高压 SOI 器件 TR 耐压模型 | 第26-62页 |
| 2.1 RESURF 四场相等法则 | 第26-29页 |
| 2.2 高压器件 TR 耐压模型 | 第29-45页 |
| 2.2.1 高压器件 SR、DR 条件 | 第29-31页 |
| 2.2.2 高压器件 TR 耐压模型 | 第31-37页 |
| 2.2.3 结果与讨论 | 第37-45页 |
| 2.3 高压器件 MR 耐压模型 | 第45-53页 |
| 2.3.1 高压器件 MR 耐压模型 | 第45-50页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 2.4 SOI TR LDMOS 实验研制 | 第53-60页 |
| 2.4.1 SOI 材料的制备 | 第53-54页 |
| 2.4.2 SOI TR LDMOS 工艺步骤 | 第54-58页 |
| 2.4.3 SOI TR LDMOS 版图及流片测试 | 第58-60页 |
| 2.5 小结 | 第60-62页 |
| 第三章 高压 SOI 槽型 LDMOS 耐压模型 | 第62-90页 |
| 3.1 槽型 LDMOS 器件原理 | 第62-63页 |
| 3.2 高压槽型 LDMOS 耐压模型 | 第63-74页 |
| 3.2.1 高压槽型 LDMOS RESURF 条件 | 第63-67页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第67-74页 |
| 3.3 高压槽型 LDMOS 槽区设计的普适方法 | 第74-83页 |
| 3.3.1 高压槽型 LDMOS 完整的 RESURF 条件 | 第74-76页 |
| 3.3.2 低 k 介质槽型 LDMOS 的设计 | 第76-79页 |
| 3.3.3 高 k 介质槽型 LDMOS 的设计 | 第79-81页 |
| 3.3.4 高压槽型 LDMOS 槽区设计的普适方法 | 第81-83页 |
| 3.4 SOI 槽型 LDMOS 实验研制 | 第83-89页 |
| 3.4.1 SOI 材料的制备 | 第83-84页 |
| 3.4.2 槽型 SOI LDMOS 工艺步骤 | 第84-87页 |
| 3.4.3 槽型 SOI LDMOS 版图及流片测试 | 第87-89页 |
| 3.5 小结 | 第89-90页 |
| 第四章 高压 SOI 变 k 介质槽型 LDMOS 新器件 | 第90-105页 |
| 4.1 高压变 k 介质槽型 LDMOS 耐压机理 | 第90-94页 |
| 4.2 2 区变 k 介质槽型 LDMOS 器件结构及参数优化 | 第94-99页 |
| 4.3 3 区变 k 介质槽型 LDMOS 器件结构及参数优化 | 第99-104页 |
| 4.4 小结 | 第104-105页 |
| 第五章 结论 | 第105-108页 |
| 5.1 结论 | 第105-106页 |
| 5.2 下一步的工作 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第117-118页 |
