| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 晶体管的发展历程 | 第10-13页 |
| 1.2 晶体管的主要类型 | 第13-15页 |
| 1.2.1 a-Si：H 晶体管 | 第13-14页 |
| 1.2.2 p-Si 晶体管 | 第14页 |
| 1.2.3 有机半导体晶体管 | 第14页 |
| 1.2.4 氧化物半导体晶体管 | 第14-15页 |
| 1.2.5 纳米线场效应晶体管 | 第15页 |
| 1.3 纳米沟道材料概述 | 第15-23页 |
| 1.3.1 纳米沟道材料的基本特性 | 第16-18页 |
| 1.3.2 纳米沟道材料的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.3.3 SnO_2的结构 | 第21-22页 |
| 1.3.4 纳米 SnO_2的性能 | 第22-23页 |
| 1.4 本文的选题背景和主要内容 | 第23-24页 |
| 第2章 晶体管的基本理论及晶体管制备 | 第24-37页 |
| 2.1 晶体管的基本理论 | 第24-28页 |
| 2.1.1 晶体管的结构 | 第24页 |
| 2.1.2 晶体管的工作原理 | 第24-27页 |
| 2.1.3 晶体管的性能参数 | 第27-28页 |
| 2.2 晶体管材料选取及制备 | 第28-35页 |
| 2.2.1 材料选取 | 第28-30页 |
| 2.2.2 Sb 掺杂的 SnO_2纳米线晶体管的制备过程 | 第30-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 基于介孔 SiO_2固态电解质 SnO_2纳米线晶体管 | 第37-49页 |
| 3.1 实验材料和设备 | 第37页 |
| 3.2 制备过程 | 第37-38页 |
| 3.3 Sb 轻掺杂的 SnO_2纳米线的形貌与结构分析 | 第38-39页 |
| 3.4 介孔 SiO_2栅介质的表征和测试 | 第39-41页 |
| 3.4.1 介孔 SiO_2的形貌 | 第39页 |
| 3.4.2 介孔 SiO_2的电学性能 | 第39-41页 |
| 3.4.3 介孔 SiO_2的厚度影响 | 第41页 |
| 3.5 SnO_2纳米线基介孔 SiO_2FET 的性能测试与讨论 | 第41-45页 |
| 3.5.1 SnO_2纳米线基介孔 SiO_2FET 的光学性能 | 第41-42页 |
| 3.5.2 SnO_2纳米线基介孔 SiO_2FET 的电学性能 | 第42-44页 |
| 3.5.3 SnO_2纳米线基介孔 SiO_2FET 的稳定性测试 | 第44-45页 |
| 3.6 10%H3PO4溶液处理对器件的影响 | 第45-47页 |
| 3.6.1 H3PO4溶液浸泡处理对器件电容的影响 | 第45-46页 |
| 3.6.2 经磷酸处理的器件的电学性能测试结果 | 第46-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 Sb 掺杂的 SnO_2纳米线基壳聚糖场效应晶体管 | 第49-60页 |
| 4.1 实验材料和设备 | 第49页 |
| 4.2 制备过程 | 第49-51页 |
| 4.3 壳聚糖栅介质的表征和测试 | 第51-52页 |
| 4.3.1 壳聚糖形貌 | 第51页 |
| 4.3.2 壳聚糖的电学性能 | 第51-52页 |
| 4.4 2%Sb 掺杂的壳聚糖 FET 的性能测试与讨论 | 第52-56页 |
| 4.4.1 2%Sb 掺杂的 SnO_2纳米线基壳聚糖 FET 的光学性能 | 第52-53页 |
| 4.4.2 2%Sb 掺杂的 SnO_2纳米线基壳聚糖 FET 的电学性能 | 第53-56页 |
| 4.5 不同 Sb 掺杂量对器件性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第68页 |
