| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 SOI技术概述 | 第11-13页 |
| 1.2 SOI横向器件概况 | 第13-17页 |
| 1.2.1 SOI横向器件的耐压技术的现状 | 第13-15页 |
| 1.2.2 低导通电阻SOI横向器件 | 第15-17页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 具有低阻通道的槽型SOI LDMOS新结构研究 | 第19-35页 |
| 2.1 器件结构与工作机理 | 第19-23页 |
| 2.1.1 SOI NBL TLDMOS结构特征 | 第19-20页 |
| 2.1.2 SOI NBL TLDMOS耐压机理 | 第20-22页 |
| 2.1.3 SOI NBL TLDMOS比导通电阻减小机理 | 第22-23页 |
| 2.2 SOI NBL TLDMOS与常规结构比较 | 第23-27页 |
| 2.2.1 耐压和比导通电阻 | 第23-26页 |
| 2.2.2 动态特性 | 第26-27页 |
| 2.3 器件参数对耐压和比导通电阻的影响 | 第27-31页 |
| 2.4 SOI NBL TLDMOS器件的工艺实现 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 介质场增强低阻槽型SOI LDMOS新结构研究 | 第35-53页 |
| 3.1 Super Junction理论与ENDIF理论 | 第35-39页 |
| 3.1.1 Super Junction理论 | 第35-37页 |
| 3.1.2 ENDIF理论 | 第37-39页 |
| 3.2 器件结构与工作机理 | 第39-43页 |
| 3.2.1 SOI LS TLDMOS结构特征 | 第39-40页 |
| 3.2.2 SOI LS TLDMOS耐压机理和比导通电阻减小机理 | 第40-43页 |
| 3.3 器件导通与阻断特性分析 | 第43-52页 |
| 3.3.1 SOI LS TLDMOS耐压和比导通电阻分析 | 第43-49页 |
| 3.3.2 SOI LS TLDMOS结构参数优化 | 第49-51页 |
| 3.3.3 SOI LS TLDMOS与常规结构比较 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 超低比导通电阻的槽型SOI LDMOS新结构研究 | 第53-63页 |
| 4.1 器件结构与工作机理 | 第53-58页 |
| 4.1.1 SOI VSJ TLDMOS结构特征 | 第53-54页 |
| 4.1.2 SOI VSJ TLDMOS耐压机理和比导通电阻减小机理 | 第54-58页 |
| 4.2 器件结构参数优化 | 第58-61页 |
| 4.3 器件的工艺实现 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
