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槽型低阻SOI横向功率器件研究与设计

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 SOI技术概述第11-13页
    1.2 SOI横向器件概况第13-17页
        1.2.1 SOI横向器件的耐压技术的现状第13-15页
        1.2.2 低导通电阻SOI横向器件第15-17页
    1.3 本论文的主要工作第17-19页
第二章 具有低阻通道的槽型SOI LDMOS新结构研究第19-35页
    2.1 器件结构与工作机理第19-23页
        2.1.1 SOI NBL TLDMOS结构特征第19-20页
        2.1.2 SOI NBL TLDMOS耐压机理第20-22页
        2.1.3 SOI NBL TLDMOS比导通电阻减小机理第22-23页
    2.2 SOI NBL TLDMOS与常规结构比较第23-27页
        2.2.1 耐压和比导通电阻第23-26页
        2.2.2 动态特性第26-27页
    2.3 器件参数对耐压和比导通电阻的影响第27-31页
    2.4 SOI NBL TLDMOS器件的工艺实现第31-34页
    2.5 本章小结第34-35页
第三章 介质场增强低阻槽型SOI LDMOS新结构研究第35-53页
    3.1 Super Junction理论与ENDIF理论第35-39页
        3.1.1 Super Junction理论第35-37页
        3.1.2 ENDIF理论第37-39页
    3.2 器件结构与工作机理第39-43页
        3.2.1 SOI LS TLDMOS结构特征第39-40页
        3.2.2 SOI LS TLDMOS耐压机理和比导通电阻减小机理第40-43页
    3.3 器件导通与阻断特性分析第43-52页
        3.3.1 SOI LS TLDMOS耐压和比导通电阻分析第43-49页
        3.3.2 SOI LS TLDMOS结构参数优化第49-51页
        3.3.3 SOI LS TLDMOS与常规结构比较第51-52页
    3.4 本章小结第52-53页
第四章 超低比导通电阻的槽型SOI LDMOS新结构研究第53-63页
    4.1 器件结构与工作机理第53-58页
        4.1.1 SOI VSJ TLDMOS结构特征第53-54页
        4.1.2 SOI VSJ TLDMOS耐压机理和比导通电阻减小机理第54-58页
    4.2 器件结构参数优化第58-61页
    4.3 器件的工艺实现第61-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第五章 结论第63-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-69页
攻读硕士学位期间取得的成果第69-70页

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