| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 有机场效应晶体管气体传感器的研究现状 | 第8-12页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管 | 第8页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管国外研究进展 | 第8-11页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管国内研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的选题及主要的研究工作 | 第12-14页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的工作原理和制备工艺 | 第14-23页 |
| 2.1 有机场效应晶体管 | 第14-19页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管简介 | 第14-15页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管的基本参数 | 第16-18页 |
| 2.1.4 有机场效应晶体管的制备材料的选择 | 第18-19页 |
| 2.2 有机场效应晶体管气体传感器 | 第19-21页 |
| 2.2.1 气体传感器常用参数 | 第19-20页 |
| 2.2.2 有机场效应晶体管气体传感器的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 测试系统的建立 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 有机场效应晶体管气体传感器的制备 | 第23-43页 |
| 3.1 有机场效应晶体管气体传感器的制备过程 | 第23-32页 |
| 3.1.1 衬底的选择 | 第23页 |
| 3.1.2 绝缘层的制备 | 第23-24页 |
| 3.1.3 电极的制备 | 第24-28页 |
| 3.1.4 有机半导体层材料的制备 | 第28-32页 |
| 3.1.5 对器件进行封装 | 第32页 |
| 3.2 空气绝缘层结构有机场效应晶体管气体传感器的制备过程 | 第32-42页 |
| 3.2.1 衬底的选择 | 第33-34页 |
| 3.2.2 电极的制备 | 第34页 |
| 3.2.3 牺牲层的制备 | 第34-39页 |
| 3.2.4 有源层的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.5 源漏电极的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.6 悬空结构的释放 | 第41-42页 |
| 3.2.7 器件的封装 | 第42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 有机场效应晶体管气体传感器的电学特性以及气敏特性的研究 | 第43-52页 |
| 4.1 有机场效应晶体管气体传感器的性能分析 | 第43-48页 |
| 4.1.1 叉指电极结构CuPc场效应晶体管的电学特性研究 | 第43-46页 |
| 4.1.2 空气绝缘层结构CuPc场效应晶体管的电学特性研究 | 第46-48页 |
| 4.2 Cu Pc场效应晶体管气体传感器的气敏特性研究 | 第48-51页 |
| 4.2.1 相同浓度NO_2中CuPc OFET气敏特性 | 第48-49页 |
| 4.2.2 不同浓度NO_2中空气绝缘层结构CuPc OFET气敏特性研究 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
