| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 功率MOSFET发展概况 | 第12-16页 |
| 1.3 材料的研究 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第2章 超结结构和半超结结构的原理和制造工艺 | 第19-28页 |
| 2.1 超结结构原理 | 第19-20页 |
| 2.2 半超结结构原理 | 第20-25页 |
| 2.2.1 击穿电压 | 第21-22页 |
| 2.2.2 导通电阻 | 第22-23页 |
| 2.2.3 电容 | 第23-25页 |
| 2.3 超结结构的制造工艺 | 第25-27页 |
| 2.3.1 多步外延技术 | 第25-26页 |
| 2.3.2 沟槽刻蚀和回填技术 | 第26-27页 |
| 2.3.3 多步离子注入技术 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 高压功率MOSFET半超结结构仿真设计 | 第28-48页 |
| 3.1 参数选取 | 第28-37页 |
| 3.1.1 N型外延层的选取 | 第28-32页 |
| 3.1.2 栅长的选取 | 第32-35页 |
| 3.1.3 栅氧化层厚度的选取 | 第35-37页 |
| 3.2 制造工艺选取 | 第37-47页 |
| 3.2.1 多步外延技术 | 第37-45页 |
| 3.2.2 多步离子注入技术 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 高压功率MOSFET半超结元胞结构的优化 | 第48-61页 |
| 4.1 半超结结构P柱的选取 | 第49-58页 |
| 4.1.1 P型外延掺杂浓度的选取 | 第49-51页 |
| 4.1.2 P柱深度的选取 | 第51-53页 |
| 4.1.3 P柱宽度的选取 | 第53-55页 |
| 4.1.4 N柱掺杂浓度的选取 | 第55-58页 |
| 4.2 半超结元胞结构与一般VDMOS结构对比分析 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论与未来工作 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第67页 |