| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 AIGaN/GaN HEMT 的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要内容安排 | 第13-14页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 的理论基础 | 第14-30页 |
| 2.1 材料特性 | 第14-19页 |
| 2.1.1 晶体结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第15-19页 |
| 2.2 GaN 晶体薄膜和 AlGaN/GaN 异质结构的生长 | 第19-22页 |
| 2.2.1 衬底材料 | 第19页 |
| 2.2.2 缓冲层 | 第19-20页 |
| 2.2.3 异质外延 | 第20-22页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT | 第22-29页 |
| 2.3.1 界面势阱及 2DEG 的形成 | 第22-23页 |
| 2.3.2 2DEG 的量子化 | 第23-24页 |
| 2.3.3 典型器件结构 | 第24-25页 |
| 2.3.4 极化电荷 | 第25-26页 |
| 2.3.5 阈值电压 | 第26页 |
| 2.3.6 IV 特性 | 第26-28页 |
| 2.3.7 漏电导 | 第28页 |
| 2.3.8 跨导 | 第28页 |
| 2.3.9 截止频率 | 第28-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 器件仿真物理模型 | 第30-36页 |
| 3.1 基本方程 | 第30-33页 |
| 3.1.1 泊松方程 | 第30-31页 |
| 3.1.2 载流子连续性方程 | 第31页 |
| 3.1.3 传输方程 | 第31-33页 |
| 3.1.4 位移电流方程 | 第33页 |
| 3.2 物理模型 | 第33-36页 |
| 3.2.1 迁移率模型 | 第33页 |
| 3.2.2 载流子生成-复合模型 | 第33-34页 |
| 3.2.3 碰撞离化模型 | 第34-36页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件特性的计算机模拟 | 第36-60页 |
| 4.1 Silvaco TCAD 工具简介 | 第36-40页 |
| 4.1.1 数值计算 | 第36页 |
| 4.1.2 物理计算 | 第36-37页 |
| 4.1.3 Silvaco 功能介绍 | 第37页 |
| 4.1.4 基本组件 | 第37-40页 |
| 4.2 器件结构及性能模拟 | 第40-60页 |
| 4.2.1 模拟 HEMT 器件的结构和工艺参数设置 | 第41页 |
| 4.2.2 仿真 AlGaN/GaN HEMT 结构 | 第41-43页 |
| 4.2.3 电流 | 第43-46页 |
| 4.2.4 模拟结果与实验结果对比 | 第46-50页 |
| 4.2.5 模拟器件参数对器件性能的影响 | 第50-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
