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一般性问题
PNL-WCVD工艺之填洞能力研究与改善
含石墨烯层的半导体功率器件的电—热—力特性研究
基于Witness仿真的TiW蚀刻机台产能改善研究
可溶性纳米二氧化钛及其复合物的制备与表征研究
半导体用超细CeO2化学机械抛光浆料的制备
0.18微米高压器件生产周期改善与工艺优化研究
基于32nm光刻双重图形技术的研究和工艺实践
包含辅助图形基于制程窗口的OPC模型
面向半导体行业的基于规则的派工系统的构建
45nm光刻板缺陷在硅片上的成像性研究
32纳米器件漏电失效准确性的判别方法研究
POCL3工艺的建立和优化
FMEA失效模式和效果分析在半导体后段工序中的应用
FMEA在半导体工艺整合项目风险管理中的应用研究
高k栅介质/半导体衬底界面的钝化和性能提升
半导体制造厂电压骤降问题及治理
解决90nm及以下蚀刻中铜扩散的先进工艺
金属/锗硅固相反应及其接触特性研究
SOI制备中氧离子注入缺陷的控制与研究
关于再利用硅切削液的研究
镀镍铜框架表面改性及提高与EMC粘附力的研究
碳材料/纳米TiO2复合光催化剂的制备及其光解水制氢性能研究
Ni/Si（110）固相反应特性研究
无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备
0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究
深亚微米集成电路制造中电介质自对准接触通孔刻蚀工艺机理及应用
有机铁电材料P（VDF-TrFE）纳米结构制备及性能研究
等离子体浸没离子注入技术在ZnO薄膜p型改性方面的应用研究
铁电聚合物基非易失存储结构的电学性能研究
半导体老化测试系统热量传递相关失效的分析研究
AlGaN/GaNHEMT的特性及抑制电流崩塌的研究
低压ZnO压敏陶瓷的制备及Y2O3掺杂改性研究
磁约束磁控溅射源的关键技术研究
红外玻璃的模压制造研究
N面GaN外延薄膜生长研究
缺陷石墨烯的第一性原理研究
GaN材料的极化特性研究
半导体器件低剂量率辐照效应及表征方法研究
4H-SiC材料中刃型位错的理论研究
硅基应变与弛豫材料的缺陷控制方法研究
硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究
低功耗硅探测器前端读出电路设计与性能分析
GaN HEMT非线性模型和微波功率放大器设计
高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究
基于CFD的硅基应变材料生长动力学研究
硅基应变材料表面生长动力学模型研究
应变硅电子迁移率研究
掺N的4H-SiC第一性原理研究
纤锌矿GaN和AlGaN体材料输运特性的解析模型及其应用研究
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