45nm光刻板缺陷在硅片上的成像性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-11页 |
| ·研究技术背景 | 第6-7页 |
| ·光刻版缺陷可成像性研究的理论意义 | 第7-9页 |
| ·检验机台的检测能力 | 第7-8页 |
| ·检验机台的程序设置 | 第8-9页 |
| ·AIMS的技术局限性 | 第9页 |
| ·本文主要内容与意义 | 第9-11页 |
| 第二章 光刻板相关工艺 | 第11-24页 |
| ·光刻及光刻板介绍 | 第11-15页 |
| ·光刻介绍 | 第11页 |
| ·光刻板 | 第11-12页 |
| ·光刻板结构介绍 | 第12-15页 |
| ·光刻版制作流程 | 第15-24页 |
| ·前期数据处理 | 第15-16页 |
| ·光刻版制作工艺流程 | 第16-24页 |
| 第三章 光刻版缺陷设计与光刻板制作 | 第24-52页 |
| ·光刻板缺陷设计思路 | 第24-25页 |
| ·光刻版测试图形的设计 | 第25-32页 |
| ·基础图形的选取与截取 | 第25-26页 |
| ·缺陷类型的设计 | 第26-28页 |
| ·缺陷步长设计 | 第28-29页 |
| ·辅助图形的设计 | 第29-30页 |
| ·步进图形布局 | 第30页 |
| ·芯片整体布局 | 第30-31页 |
| ·光刻版整体布局 | 第31-32页 |
| ·图形格式转换 | 第32页 |
| ·光刻板的制作 | 第32-37页 |
| ·材料的选择 | 第33-34页 |
| ·工艺流程及曝光区域选择 | 第34-35页 |
| ·光刻版选定区域图形表现 | 第35-37页 |
| ·缺陷光刻板硅片成像 | 第37-39页 |
| ·光刻机台的选用 | 第37-38页 |
| ·浸没式光刻流程 | 第38-39页 |
| ·曝光参数选定 | 第39页 |
| ·缺陷在硅片上的成像结果分析 | 第39-44页 |
| ·AA—N分析 | 第39-40页 |
| ·CH—A分析 | 第40-41页 |
| ·关键层次每种类型规格线的制定 | 第41-44页 |
| ·检验机台与修补机台能力测试 | 第44-52页 |
| ·检验机台程序调整 | 第44-49页 |
| ·修补机台程序调整 | 第49-52页 |
| 第四章 光刻板缺陷曝光成像的软件开发 | 第52-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
