当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究
基于密度泛函的SiC异质结研究
SiC外延生长加热系统热场分析
Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征
硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究
InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
GaN基HEMT器件集成与输出特性研究
水热法制备过渡金属掺杂ZnO及其光学性质研究
PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性质研究
探针游移对测试大型硅片微区薄层电阻的影响及仿真技术研究
纳米折叠有源区宽谱LED工艺研究
富磷条件下生长的InP单晶体材料特性研究
磁场对导电液体材料流动状态影响的研究
电子辐照直拉硅单晶中空位相关缺陷的红外吸收光谱研究
微晶硅薄膜的制备及其性能的研究
GaN厚膜HVPE生长工艺的研究
P型硅外延片工艺技术的研究
垂直式HVPE系统制备GaN衬底材料的数值模拟研究
湿法刻蚀制备黑硅及性能研究
谐振腔式金刚石膜沉积装置FDTD数值模拟与优化
半导体分立器件综合测试硬件系统的研究
氧化钒光伏特性及其应用研究
大功率半导体分立器件脉冲式测试技术的硬件实现
某存储器芯片晶圆可接受性测试的设计与实现
介观体系中的温差自旋效应研究
基于半导体制造业的生产设备产能跟踪系统
直接浅沟道隔离平坦化技术的研究及应用
基于线性规划的半导体制造业中期生产计划系统的设计与实现
四针状氧化锌晶须的表面改性及其光催化性能研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体AlAs中的过渡金属团簇的第一性原理研究
高温高压下ZnO物理性质的第一性原理计算
SOI横向超结器件耐压理论研究
InGaNAs材料电子结构与光学性质的理论研究
有机半导体器件中的磁场效应研究
金属氧化物半导体材料的电化学方法制备研究
纳米光刻技术及其在三端结器件和纳米光栅偏振器中的应用
siC功率器件特性研究与模拟分析
Ⅳ-Ⅵ族量子点材料的钝化对光电特性的作用机制
快速热处理对直拉单晶硅缺陷的调控
非极性/半极性ZnO基薄膜和结构的制备及其性能研究
重掺硼直拉单晶硅中缺陷的研究
非极性ZnO和ZnMgO薄膜的MOCVD法制备及性能研究
硅基ZnO(CdZnO)薄膜及发光器件
钛化物节能薄膜的制备及其光电性能研究
重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究
金属表面等离激元增强ZnMgO薄膜及ZnO/ZnMgO单量子阱发光
作为太阳能电池前电极的氧化锌掺铝绒面结构
钛酸钡基PTC陶瓷溅射金属化的研究
上一页
[85]
[86]
[87]
[88]
[89]
下一页