| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究的背景与意义 | 第8-10页 |
| ·作者的研究内容和成果 | 第10-12页 |
| 第二章 等离子体浸没离子注入实验装置的相关介绍 | 第12-20页 |
| ·等离子体浸没离子注入和常规束线离子注入的比较 | 第12-13页 |
| ·PIII实验装置 | 第13-19页 |
| ·等离子体源 | 第14页 |
| ·高压脉冲电源 | 第14-15页 |
| ·真空系统 | 第15-16页 |
| ·诊断系统 | 第16-19页 |
| ·PIII注入剂量标定 | 第19-20页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备技术和表征手段 | 第20-31页 |
| ·ZnO薄膜的制备技术 | 第20-23页 |
| ·磁控溅射法 | 第20页 |
| ·化学气象沉积法 | 第20-21页 |
| ·喷雾热解法 | 第21页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第21-22页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第22页 |
| ·原子层外延生长法(ALE) | 第22-23页 |
| ·薄膜表征手段 | 第23-31页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第23-24页 |
| ·X射线衍射分析仪(XRD) | 第24-25页 |
| ·光致发光(PL) | 第25-26页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第26-27页 |
| ·二次离子质谱仪(SIMS) | 第27-28页 |
| ·紫外/可见光分光光度计(UV-Visible Spectroscopy) | 第28页 |
| ·扫描式电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| ·台阶仪(Profilometer) | 第29-31页 |
| 第四章 ZnO薄膜P型改性的结果与讨论 | 第31-42页 |
| ·注入前AZO薄膜的生长和表征 | 第31页 |
| ·注入并退火后的ZnO:(N,Al)薄膜特性 | 第31-40页 |
| ·电学特性的研究 | 第32-36页 |
| ·光学特性的研究 | 第36-38页 |
| ·薄膜的结构和表面形貌分析 | 第38-40页 |
| ·氮注入深度分析 | 第40-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-46页 |
| ·本论文工作总结 | 第42-43页 |
| ·未来工作展望 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 在校期间的科研成果和发表论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |