| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·集成电路器件与工艺的发展 | 第11-13页 |
| ·SiO_2作为栅极介质材料的限制 | 第13-14页 |
| ·高k栅介质 | 第14-19页 |
| ·高k栅介质的性能要求 | 第14-15页 |
| ·几种高k栅介质材料 | 第15-17页 |
| ·高k材料的研究现状 | 第17-19页 |
| ·砷化镓(GaAs)衬底 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-22页 |
| 第二章 高k栅介质的制备工艺和表征技术及相关理论 | 第22-33页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·高k栅介质的淀积方法 | 第22-27页 |
| ·原子层淀积的原理和技术 | 第23-24页 |
| ·原子层淀积表面化学机制 | 第24-26页 |
| ·ALD制备金属氧化物栅介质薄膜 | 第26-27页 |
| ·高k栅介质的物理性质表征技术 | 第27-30页 |
| ·薄膜厚度的表征:椭圆偏振仪 | 第27-29页 |
| ·薄膜表面分析技术:X射线光电子能谱(XPS) | 第29-30页 |
| ·高k栅介质结构的电学测量技术 | 第30-33页 |
| ·MOS结构的电容-电压(C-V)测量 | 第30-31页 |
| ·MOS结构的电流-电压(I-V)测量 | 第31-33页 |
| 第三章 具有Al_2O_3缓冲层的HfAlO高k栅介质MOS结构的研究 | 第33-43页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第34-38页 |
| ·实验设备和反应前躯体 | 第34-35页 |
| ·Si片的清洗 | 第35-36页 |
| ·原子层淀积Al_2O_3和HfAlO薄膜 | 第36-37页 |
| ·具有Al_2O_3缓冲层的Ru/HfO_2/Al_2O_3 MOS结构 | 第37-38页 |
| ·高k栅介质MOS结构的电学测试 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 砷化镓(GaAs)衬底上淀积Al_2O_3薄膜和硫钝化研究 | 第43-55页 |
| ·引言 | 第43-45页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·GaAs衬底表面的清洗和硫钝化 | 第45页 |
| ·原子层淀积Al_2O_3薄膜 | 第45-46页 |
| ·Al_2O_3和GaAs界面的分析 | 第46-50页 |
| ·Au/Ti/Al_2O_3/GaAs MOS结构的制备和电学分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
