| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| ·本课题研究的背景及意义 | 第7-9页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第7-8页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的研究意义 | 第8-9页 |
| ·GaN 基HEMT 的历史和现状 | 第9-10页 |
| ·GaN HEMT 研究中的问题 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第12-13页 |
| 2 AlGaN/GaN HEMT 的组成及原理 | 第13-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的基本结构 | 第13-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的衬底和生长方法 | 第13-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的异质结 | 第14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的肖特基接触 | 第14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的欧姆接触 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的物理机理 | 第15-27页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化效应 | 第15-18页 |
| ·2DEG 的自洽计算方法 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的肖特基接触 | 第19-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的欧姆接触 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 AlGaN/GaN HEMT 的特性研究 | 第28-51页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的特性 | 第28-36页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的能带和电子浓度 | 第28-32页 |
| ·AlGaN 势垒层厚度与2DEG 的关系 | 第32-33页 |
| ·2DEG 面密度与AlxGa1-xN 中x 的关系 | 第33-34页 |
| ·肖特基势垒高度的影响 | 第34-35页 |
| ·欧姆接触的影响 | 第35-36页 |
| ·HEMT 的各种结构及特性 | 第36-50页 |
| ·GaN/AlGaN/GaN 结构 | 第36-39页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结结构 | 第39-44页 |
| ·引入AlN 阻挡层的AlGaN/AlN/GaN 结构 | 第44-47页 |
| ·引入窄禁带InGaN 的AlGaN/InGaN/GaN 结构 | 第47-49页 |
| ·横向尺寸的变化 | 第49页 |
| ·MOSHFET 结构 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4 电流崩塌现象及其抑制方法的研究 | 第51-62页 |
| ·电流崩塌现象 | 第51-52页 |
| ·电流崩塌形成的机理及抑制方法 | 第52-55页 |
| ·应力模型-栅、源、漏串联电阻的变化造成RF 电流崩塌效应 | 第52-53页 |
| ·AlGaN 势垒层的虚栅模型 | 第53-54页 |
| ·DC 电流崩塌效应形成的机理 | 第54页 |
| ·抑制电流崩塌的方法 | 第54-55页 |
| ·pn 结抑制电流崩塌的新方法 | 第55-61页 |
| ·物理模型及器件结构 | 第56-58页 |
| ·仿真结果和分析 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录 | 第71页 |
