半导体器件低剂量率辐照效应及表征方法研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究对象 | 第9-10页 |
| ·国内外研究结果 | 第10-11页 |
| ·本文的研究方法与论文结构 | 第11-13页 |
| 第二章 空间辐照环境及辐射效应 | 第13-25页 |
| ·辐射环境概述 | 第13-14页 |
| ·空间环境 | 第13-14页 |
| ·核爆炸环境 | 第14页 |
| ·模拟辐射环境 | 第14-16页 |
| ·中子辐射环境 | 第14页 |
| ·~(60)Coγ射线辐射环境 | 第14-15页 |
| ·X射线辐射环境 | 第15页 |
| ·重离子源辐射环境 | 第15-16页 |
| ·核动力辐射环境 | 第16页 |
| ·位移效应 | 第16-17页 |
| ·总剂量效应 | 第17-23页 |
| ·BJT的总剂量效应 | 第17-19页 |
| ·FET总剂量效应 | 第19-21页 |
| ·运算放大器的总剂量效应 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 低剂量率辐照实验方法及效应分析 | 第25-41页 |
| ·低剂量率辐射实验方法 | 第25-29页 |
| ·高温高剂量率辐照法 | 第26-27页 |
| ·反向偏置高温高剂量率辐照法 | 第27-28页 |
| ·室温高剂量率辐照加高温退火法 | 第28-29页 |
| ·重复两次室温高剂量率辐照加高温退火法 | 第29页 |
| ·过量辐照法 | 第29页 |
| ·双极型器件及电路低剂量率辐照效应分析 | 第29-37页 |
| ·BJT的低剂量率效应 | 第29-36页 |
| ·三端稳压器的低剂量率效应 | 第36-37页 |
| ·低剂量率辐照效应及实验方法的对比分析 | 第37-39页 |
| ·低剂量率辐照实验方法对比分析 | 第37-38页 |
| ·低剂量率辐照效应对比分析 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第四章 双极型器件低剂量率辐照效应及表征方法 | 第41-69页 |
| ·双极型器件低剂量率辐照实验方法 | 第41-42页 |
| ·双极型器件低剂量率辐照结果分析 | 第42-50页 |
| ·pnp型双极晶体管 | 第42-46页 |
| ·npn型双极晶体管 | 第46-50页 |
| ·双极型器件低剂量率辐照机理研究 | 第50-54页 |
| ·常规电参量辐照机理研究 | 第50-53页 |
| ·噪声参量辐照机理研究 | 第53-54页 |
| ·双极型器件低剂量率辐照表征方法 | 第54-64页 |
| ·常规电参数低剂量率辐照表征方法 | 第54-61页 |
| ·噪声参数低剂量率表征方法 | 第61-64页 |
| ·双极型器件抗辐射能力表征方法 | 第64-68页 |
| ·常规电参量双极型器件抗辐射能力表征方法 | 第64-65页 |
| ·双极型器件抗辐射损伤的1/f噪声表征方法 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第五章 双极型电路低剂量率辐照效应及表征方法 | 第69-79页 |
| ·双极型电路低剂量率辐照实验方法 | 第69页 |
| ·双极型电路低剂量率辐照结果分析 | 第69-72页 |
| ·三端稳压器输出电压V_o辐照结果分析 | 第69-70页 |
| ·噪声参数辐照结果分析 | 第70-72页 |
| ·三端稳压器LM117工作原理分析 | 第72-73页 |
| ·双极型电路低剂量率辐照机理研究及表征方法 | 第73-77页 |
| ·小结 | 第77-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| ·总结 | 第79页 |
| ·展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 研究成果 | 第89页 |
