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4H-SiC材料中刃型位错的理论研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
第一章 绪论第6-10页
   ·SiC 材料的优越性第6-7页
   ·SiC 材料缺陷的研究现状第7-8页
   ·理论模拟方法第8-9页
   ·本文主要工作第9-10页
第二章 4H-SiC 材料中的缺陷第10-20页
   ·SiC 多型体结构第10-12页
   ·晶格缺陷第12-17页
     ·缺陷的分类第13-14页
     ·位错理论基础第14-17页
   ·4H-SiC 材料中的缺陷第17-19页
   ·本章小结第19-20页
第三章 计算理论及软件介绍第20-28页
   ·两个基本近似第20-22页
     ·Born-Oppenheimer 绝热近似第21页
     ·Hartree-Fock 近似第21-22页
   ·密度泛函理论第22-24页
     ·Hohenberg-Kohn-Sham 理论第22-23页
     ·局域密度近似和广义梯度近似第23-24页
     ·自洽计算第24页
   ·材料模拟软件第24-26页
     ·周期性体系和赝势第25-26页
     ·CASTEP 的计算体系第26页
   ·本章小结第26-28页
第四章 第一性原理研究4H-SiC 刃型位错第28-46页
   ·完整晶格模拟结果和分析第28-31页
   ·4H-SiC 刃型位错模型的建立第31-37页
   ·刃型位错计算结果分析第37-41页
   ·几何优化第41-43页
   ·本章小结第43-46页
第五章 结束语第46-48页
致谢第48-50页
参考文献第50-53页

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