4H-SiC材料中刃型位错的理论研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
第一章 绪论 | 第6-10页 |
·SiC 材料的优越性 | 第6-7页 |
·SiC 材料缺陷的研究现状 | 第7-8页 |
·理论模拟方法 | 第8-9页 |
·本文主要工作 | 第9-10页 |
第二章 4H-SiC 材料中的缺陷 | 第10-20页 |
·SiC 多型体结构 | 第10-12页 |
·晶格缺陷 | 第12-17页 |
·缺陷的分类 | 第13-14页 |
·位错理论基础 | 第14-17页 |
·4H-SiC 材料中的缺陷 | 第17-19页 |
·本章小结 | 第19-20页 |
第三章 计算理论及软件介绍 | 第20-28页 |
·两个基本近似 | 第20-22页 |
·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第21页 |
·Hartree-Fock 近似 | 第21-22页 |
·密度泛函理论 | 第22-24页 |
·Hohenberg-Kohn-Sham 理论 | 第22-23页 |
·局域密度近似和广义梯度近似 | 第23-24页 |
·自洽计算 | 第24页 |
·材料模拟软件 | 第24-26页 |
·周期性体系和赝势 | 第25-26页 |
·CASTEP 的计算体系 | 第26页 |
·本章小结 | 第26-28页 |
第四章 第一性原理研究4H-SiC 刃型位错 | 第28-46页 |
·完整晶格模拟结果和分析 | 第28-31页 |
·4H-SiC 刃型位错模型的建立 | 第31-37页 |
·刃型位错计算结果分析 | 第37-41页 |
·几何优化 | 第41-43页 |
·本章小结 | 第43-46页 |
第五章 结束语 | 第46-48页 |
致谢 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |